[发明专利]单线通信系统和单线通信实现方法无效

专利信息
申请号: 201110280911.0 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102420444A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 张卫;戴久莲;崔文华 申请(专利权)人: 凹凸电子(武汉)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H04L1/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 430074 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 单线 通信 系统 实现 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种单线通信系统和单线通信实现方法。

背景技术

随着电动车(Electrical Bicycle,简称为EB)技术的飞速发展,对电动车的电池管理系统(Battery Management System,简称为BMS)与充电器(Charger)之间相互配合的要求越来越高。现有技术中,BMS控制充电器对电池组进行充电,并监视电池组的状态;具体地,当电池组处于欠充状态时,BMS控制充电器对电池组进行充电;当电池组处于过充状态时,BMS控制充电器调节充电参数,并且,BMS还需要关断放电开关(Discharge MOSFET)从而防止电池组放电过度。此外,BMS与充电器之间还需要进行数字通信以传输二者之间的通信数据,但是现有技术中的BMS与充电器之间的数字通信时的高电平信号的电压通常较低,当存在较小的电压噪声干扰时,BMS与充电器之间的误码率较高。

发明内容

本发明提供了一种单线通信系统和单线通信实现方法,降低在电动车上通信时的误码率。

根据本发明一个实施例,本发明提供了一种单线通信系统,该单线通信系统包括:

用于将第一信号转换为第一输出信号的第一转换模块;

用于将第二信号转换为第二输出信号的第二转换模块,与所述第一转换模块通过通信线相耦接,所述第二转换模块的正极与供电电源的正极相耦接;

其中,在所述第一转换模块与所述第二转换模块之间通过所述通信线进行所述第一输出信号或者所述第二输出信号传输时,若所述第一输出信号和所述第二输出信号为逻辑高电平时,所述逻辑高电平的电压由所述供电电源的电压确定。

本发明所述的单线通信系统,所述第一转换模块包括:第一端口,用于为所述第一转换模块提供所述第一信号;第一转换电路,与所述第一端口相耦接,用于将所述第一信号转换为所述第一输出信号,并通过所述通信线为所述第二转换模块提供所述第一输出信号;以及将来自所述第二转换模块的所述第二输出信号进行电平转换,以得到所述第一输入信号;第二端口,与所述第一转换电路相耦接,用于输入所述第一输入信号。

本发明所述的单线通信系统,所述第一转换电路包括:耦合在所述第一端口和地之间的第一晶体管,所述第一晶体管的打开和关断由来自所述第一端口的第一信号控制。

本发明所述的单线通信系统,当所述第一信号为逻辑高电平时,所述第一晶体管打开;当所述第一信号为逻辑低电平时,所述第一晶体管关断。

本发明所述的单线通信系统,所述第一转换电路还包括:耦合在所述第二端口和第一电源电压之间的第二晶体管,所述第二晶体管的打开或者关断由来自所述第一转换电路的通信线端口的第二输出信号控制。

本发明所述的单线通信系统,当所述通信线上传输的所述第二输出信号为逻辑高电平时,所述第二晶体管关断;当所述通信线上传输的第二输出信号为逻辑低电平,所述第二晶体管打开。

本发明所述的单线通信系统,所述第一晶体管为N沟道场效应晶体管,所述第二晶体管为P沟道场效应晶体管。

本发明所述的单线通信系统,所述第二转换模块包括:第三端口,用于为所述第二转换模块提供所述第二信号;第二转换电路,与所述第三端口相耦接,用于将所述第二信号转换为所述第二输出信号,并通过所述第二转换电路的通信线端口输出所述第二输出信号;以及将来自所述第一转换模块的所述第一输出信号进行电平转换,以得到第二输入信号;第四端口,与所述第二转换电路相耦接,用于输入所述第二输入信号。

本发明所述的单线通信系统,所述第二转换电路还包括:耦合在所述第四端口和第二电源电压之间的第三晶体管,所述第三晶体管的打开或者关断由来自所述第二转换电路的通信线端口的第一输出信号控制。

本发明所述的单线通信系统,当所述通信线上传输的所述第一输出信号为逻辑高电平时,所述第三晶体管打开;当所述通信线上传输的第一输出信号为逻辑低电平,所述第三晶体管关断。

本发明所述的单线通信系统,所述第二转换电路还包括:耦合在所述第三端口和所述供电电源之间的第四晶体管,所述第四晶体管的打开或者关断由来自所述第三端口的第二信号控制。

本发明所述的单线通信系统,当所述第二信号为逻辑高电平时,所述第四晶体管打开;当所述第二信号为逻辑低电平时,所述第四晶体管关断。

本发明所述的单线通信系统,所述第三晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第四晶体管为N沟道场效应晶体管。

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