[发明专利]用于制造结构元件的方法和具有结构元件的半导体器件

权利要求书

1.一种用于在半导体本体的表面上制造结构元件的方法，其具有如下特征：

- 提供具有表面（11）的半导体本体（10），

- 在表面（11）处产生凹进部（12），其中凹进部（12）从半导体本体（10）的表面（11）在垂直于表面（11）的方向上延伸到半导体本体（10）中，其中凹进部（12）具有底部（13）和至少一个侧壁（14），

- 在表面（11）上和在凹进部（12）中产生第一辅助层（15），使得第一辅助层（15）在凹进部（12）上方构造槽（16），其中槽（16）具有槽底部（17）和至少一个槽侧壁（18），所述至少一个槽侧壁（18）对于半导体本体（10）的表面（11）有在20°到80°的范围中的角度α，

- 在槽（16）内部在槽底部（17）处和在至少一个槽侧壁（18）处产生第二辅助层（20），其中第一辅助层（15）和第二辅助层（20）在相同的表面水平上构造共同的表面（21）并且其中第二辅助层（20）由不同于第一辅助层（15）的材料制造，以及

- 选择性地将第一辅助层（15）的未被第二辅助层（20）覆盖的区域去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一辅助层（15）通过HDP工艺来产生。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在产生第一辅助层（15）之前，在半导体本体（10）的表面（11）上和在凹进部（12）中产生相关联的保护层（25）。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，第二辅助层（20）通过将其他材料沉积在槽（16）中来产生。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，第二辅助层（20）完全填充槽（16）。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过CMP方法制造第一和第二辅助层（15，20）的共同的表面（21）。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，在选择性地去除第一辅助层（15）的未被第二辅助层（20）覆盖的区域之后将第二辅助层（20）从槽（16）中去除。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在半导体本体（10）中产生沟道（30）期间进行第二辅助层（20）的去除。

9.一种半导体器件，其具有：

- 具有表面（11）的半导体本体（10），

- 在半导体本体（10）中的凹进部（12），其中凹进部（12）从半导体本体（10）的表面（11）在垂直于表面（11）的方向上延伸到半导体本体（10）中，并且其中凹进部（12）具有底部（13）和至少一个侧壁（14），

- 在半导体本体（10）的表面（11）上和在凹进部（12）中的层（15），其中所述层（15）在凹进部（12）上方构造槽（16），所述槽（16）具有槽底部（17）和至少一个槽侧壁（18），其中至少一个槽侧壁（18）对于半导体本体（10）的表面（11）有在20°到80°的范围中的角度α，

- 其中所述层（15）具有从槽边界（23）出发朝着半导体本体（10）的表面（11）延伸的至少一个边界（22）。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述层（15）从凹进部（12）的侧壁（14）出发到在50nm直至150nm的范围中的线段x上方覆盖半导体本体（10）的表面（11）。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中，在半导体本体（10）中构造沟道（30），所述沟道（30）具有从所述层（15）的边界（22）出发延伸到半导体本体（10）中的至少一个沟道侧壁（42）。