[发明专利]多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体

权利要求书

1.一种多结太阳能电池，其叠层有多个子电池，且光由位于最上层的子电池起入射至位于最下层的子电池，从而在各子电池中发电，其中，

各子电池由具有第1导电型的第1化合物半导体层以及具有第2导电型的第2化合物半导体层叠层而成，

在多个子电池中的至少一个特定的子电池中，

第1化合物半导体层包含至少一个第1化合物半导体层叠层单元，该第1化合物半导体层叠层单元由具有第1导电型的第1-A化合物半导体层以及具有第2导电型的第1-B化合物半导体层叠层而成，

第2化合物半导体层包含至少一个第2化合物半导体层叠层单元，该第2化合物半导体层叠层单元由具有不同于第1导电型的第2导电型的第2-A化合物半导体层以及具有第2导电型的第2-B化合物半导体层叠层而成，

构成第1-A化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2-A化合物半导体层的化合物半导体组成，是相同的化合物半导体组成-A，

构成第1-B化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2-B化合物半导体层的化合物半导体组成，是相同的化合物半导体组成-B，

基于特定的子电池的带隙值，来确定化合物半导体组成-A，

基于形成第1化合物半导体层和第2化合物半导体层时基底的基底晶格常数与化合物半导体组成-A的晶格常数之差，来确定化合物半导体组成-B，

基于基底晶格常数和化合物半导体组成-B的晶格常数之差以及第1-A化合物半导体层的厚度，来确定第1-B化合物半导体层的厚度，

基于基底晶格常数和化合物半导体组成-B的晶格常数之差以及第2-A化合物半导体层的厚度，来确定第2-B化合物半导体层的厚度，

第1-A化合物半导体层和第2-A化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成-A的临界膜厚，是不产生量子效应的厚度，

第1-B化合物半导体层和第2-B化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成-B的临界膜厚，是不产生量子效应的厚度。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，特定的子电池位于最下层。

3.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，构成化合物半导体组成-A的原子群和构成化合物半导体组成-B的原子群相同。

4.根据权利要求3所述的多结太阳能电池，其中，构成化合物半导体组成-A的原子群的原子百分率和构成化合物半导体组成-B的原子群的原子百分率不同。

5.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，特定的子电池的带隙值为0.45eV～0.75eV。

6.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，化合物半导体组成-B的带隙值大于化合物半导体组成-A的带隙值。

7.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，将化合物半导体组成-A的晶格常数设定为LC_A，将化合物半导体组成-B的晶格常数设定为LC_B，将基底晶格常数设定为LC₀时，其满足下述关系：

|(LC_A-LC₀)/LC₀|≤1×10^-3

0.25≤|(LC_B-LC₀)/(LC_A-LC₀)|≤4.0。

8.根据权利要求7所述的多结太阳能电池，其中，

LC_A-LC₀＞0

LC_B-LC₀＜0。