[发明专利]多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体无效
| 申请号： | 201110281336.6 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022058A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/078;H01L31/0352;H01L31/036 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 化合物 半导体器件 光电 转换 元件 半导体 层叠 结构 | ||
1.一种多结太阳能电池，其是由多个子电池叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层叠层而成，
在至少一个相邻接的子电池之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，在未设置连接层的相邻接的子电池之间，设置有隧道结层。
3.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，连接层含有选自钛、铝、锆、铪、钨、钽、钼、铌和钒中的至少1种元素。
4.根据权利要求3所述的多结太阳能电池，其中，连接层的厚度为5nm以下。
5.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，连接层包含选自AZO、IZO、GZO、IGO、IGZO和ITO的材料。
6.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，连接层包含非晶质化合物半导体。
7.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，在相互邻接的子电池中对置的化合物半导体层的导电型不同。
8.根据权利要求7所述的多结太阳能电池，其中，在构成子电池的化合物半导体层中具有p型导电型的化合物半导体层的厚度为100nm以下。
9.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其中，化合物半导体层由GaAs或InP构成。
10.一种化合物半导体器件，其由数个多个化合物半导体层叠层而成，在至少一个相邻接的化合物半导体层之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
11.根据权利要求10所述的化合物半导体器件，其中，连接层含有选自钛、铝、锆、铪、钨、钽、钼、铌和钒中的至少1种元素。
12.根据权利要求11所述的化合物半导体器件，其中，连接层的厚度为5nm以下。
13.根据权利要求10所述的化合物半导体器件，其中，连接层包含选自AZO、IZO、GZO、IGO、IGZO和ITO的材料。
14.根据权利要求10所述的化合物半导体器件，其中，连接层包含非晶质化合物半导体。
15.根据权利要求10所述的化合物半导体器件，其中，用于夹持连接层的、对置的化合物半导体层的导电型不同。
16.根据权利要求10所述的化合物半导体器件，其中，化合物半导体层由GaAs或InP构成。
17.一种光电转换元件，其由数个多个化合物半导体层叠层而成，在至少一个相邻接的化合物半导体层之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
18.一种化合物半导体层叠层结构体，其由数个多个化合物半导体层叠层而成，在至少一个相邻接的化合物半导体层之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
