[发明专利]在穿硅通孔镀敷中减少副产品

权利要求书

1.一种方法，其包括：

降低镀敷溶液的氧浓度，其中所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂；

在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触，其中所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少；以及

在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述镀敷溶液包含约百万分之5或更少的所述加速剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述品片衬底包括至少一个特征，其具有至少约10∶1的纵横比及至少约5微米的开口直径或宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀发生至少约10分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属电镀到穿硅通孔上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属电镀到晶片衬底级封装特征上。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述镀敷溶液从镀敷隔间供应到所述镀敷单元，其中所述镀敷隔间中的所述镀敷溶液的所述氧浓度小于约百万分之10，且其中在从所述镀敷隔间供应所述镀敷溶液时执行降低所述镀敷溶液的所述氧浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述镀敷溶液大致不包含整平剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属包含铜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述镀敷溶液包含约每升40到80克的铜。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在使所述晶片衬底与所述镀敷溶液接触之前预润湿所述晶片衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中用所述镀敷溶液预润湿所述晶片衬底。

13.根据权利要求1所述的方法，其中用脱气装置执行降低所述镀敷溶液的所述氧浓度。

14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将光致抗蚀剂涂覆到所述晶片衬底；

使所述光致抗蚀剂暴露于光；

图案化所述抗蚀剂且将所述图案转印到所述晶片衬底；以及

选择性地从所述晶片衬底移除所述光致抗蚀剂。

15.一种溶液，其包括：

金属盐；

约百万分之1或更少的氧；

约百万分之10或更少的加速剂；以及

约百万分之300或更少的抑制剂。

16.根据权利要求15所述的溶液，其中所述溶液是镀敷溶液。

17.根据权利要求15所述的溶液，其中所述溶液是预润湿溶液。

18.一种用于电镀金属的设备，其包括：

(a)镀敷单元；以及

(b)控制器，其包括用于实行包括以下步骤的工艺的程序指令：

降低镀敷溶液的氧浓度，其中所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂；

在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触，其中所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少；以及

在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。

19.一种系统，其包括根据权利要求18所述的设备及分档器。

20.一种包括用于控制设备的程序指令的非暂态计算机机器可读媒体，所述指令包括用于以下操作的代码：

降低镀敷溶液的氧浓度，其中所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂；

在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触，其中所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少；以及

在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。