[发明专利]半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：

包含活性层，具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和

在所述射出侧谐振器面的表面上的端面涂覆膜，

所述端面涂覆膜包括：配置于所述端面涂覆膜的最表面的光催化剂层；和配置于所述光催化剂层与所述射出侧谐振器面之间的电介质层，

在所述活性层发出的激光的波长为λ，所述电介质层的折射率为n的情况下，所述电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)规定的厚度，并且为1μm以上，其中，m为整数。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层的厚度比所述电介质层的厚度小。

3.如权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层设定为由m×λ/(2×n)规定的厚度，其中，m为整数。

4.如权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层的折射率比所述电介质层的折射率大。

5.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层包括TiO₂的微晶层和非晶层。

6.如权利要求5所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层还包括：在与所述活性层对应的部分形成的具有TiO₂的结晶体的层。

7.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层和所述电介质层相互接触。

8.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述光催化剂层隔着第一氮化膜形成于所述电介质层上。

9.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述电介质层包含SiO₂膜。

10.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述电介质层具有包括多个电介质膜的多层膜构造，

在所述活性层发出的激光的波长为λ，所述多个电介质膜各自的折射率为n的情况下，各所述电介质膜的厚度分别设定为由m×λ/(2×n)规定的厚度，并且所述电介质层的厚度为1μm以上，其中，m为整数。

11.如权利要求10所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述电介质层具有将由SiO₂构成的第一电介质膜和由AlON构成的第二电介质膜层叠而成的所述多层膜构造，

所述第一电介质膜的厚度比所述第二电介质膜的厚度大。

12.如权利要求11所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述电介质层，将所述第一电介质膜和所述第二电介质膜交替地至少各层叠有两层。

13.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述端面涂覆膜还含有：控制所述射出侧谐振器面的反射率的反射率控制层。

14.如权利要求13所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述反射率控制层层叠有折射率比所述电介质层的折射率大的高折射率层和折射率比所述高折射率层小的低折射率层，

所述电介质层和所述反射率控制层隔着所述反射率控制层的所述高折射率层配置。

15.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述端面涂覆膜还包括：防止所述射出侧谐振器面的氧化的防氧化层。

16.如权利要求15所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述防氧化层为包括多个层的电介质膜。

17.如权利要求15所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述防氧化层具有与所述射出侧谐振器面接触的第二氮化膜。

18.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半导体元件层包含氮化物类半导体。