[发明专利]多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法

权利要求书

1.多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于包括以下步骤：a在坩埚内壁上刷一层硅溶胶－凝胶混合物，混合物中，硅溶胶20－100克，硅凝胶500－1200克；涂刷硅溶胶-凝胶后形成一层很薄的玻璃结构层；b将氮化硅放入纯净水中，按370－420克氮化硅加纯净水1000－1800毫升，搅拌均匀，形成氮化硅悬浮液；c将氮化硅悬浮液喷涂于硅溶胶－凝胶混合物的玻璃结构层表面。

2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述b步骤中，纯净水为去离子纯水，电阻率为10～18兆欧姆。

3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于： 所述b步骤中，氮化硅加纯净水搅拌，指在常温下搅拌20－40分钟。

4.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于： 所述c步骤的氮化硅悬浮液喷涂，在坩埚内壁处于35－65℃的温度的情况下进行。

5.根据权利要求1或3所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述氮化硅指高纯单晶氮化硅，其粗细均匀、表面光滑，直径5～80nm。

6.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述硅溶胶-凝胶混合物为直径为1～100nm的胶体粒子悬浮液。

7.根据权利要求1或6所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述凝胶是指由亚微米微孔和平均长度大于1um的聚合链构成的刚性互连网状结构，pH在4～7之间形成凝胶。

8.根据权利要求1或6所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述硅溶胶-凝胶，采取正硅酸乙酯进行水解、缩聚而成，制备步骤如下：

a按正硅酸乙酯：乙醇：（水+催化剂）=1：3：（10：0.01）摩尔比关系，分别称取正硅酸乙酯、乙醇、水和催化剂；

b将正硅酸乙酯、乙醇混合；

c将含催化剂的去离子水缓慢加到上述混合溶液中，磁力搅拌器剧烈搅拌1h到2h，便可得到溶胶；

d在催化剂的催化下0.5h到1h内形成凝胶。

9.根据权利要求8所述的多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法，其特征在于：所述正硅酸乙酯的纯度为优级纯；乙醇为溶度99.7%无水酒精；水要求为去离子纯水，电阻率10兆到18兆；催化剂为盐酸要求优级纯、溶度35%-38%。