[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法

权利要求书

1.一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，采用金属有机化合物气相外延方法， 通过在p-i-n LED 有源层近邻两边分别引入高电子浓度和高空穴浓度的插入层，使用三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，硅烷作为n型掺杂源，二茂镁作为p型掺杂源，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一，在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石AllO3衬底在氢气气氛下，1040～1200                                                处理5分钟，然后降低温度，在530～550，反应室压力 500 torr，在氢气气氛下，三维生长20～30 纳米的GaN缓冲层，再在1000～1500下生长2～4微米厚n-GaN层； 

步骤二，在氮气气氛下，在750～850下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区，其中0.1≤x≤0.35；在有源区上，在氮气气氛下，在750～850下生长高空穴浓度的p型插入层；

步骤三，在氢气气氛下，在950～1040生长p-GaN层。

2.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，其特征在于：所述n型插入层采用n-In_yGa_1-yN、 n-Al_y1In_y2Ga_1-y1-y2N、 n-In_yGa_1-yN/GaN或n-Al_y1Ga_1-y1N/In_y2Ga_1-y2N/GaN超晶格n型插入层，所述p型插入层是p-In_zGa_1-zN、p-Al_z1In_z2Ga_1-z1-z2N、p-In_zGa_1-zN/GaN或p-Al_z1Ga_1-z1N/In_z2Ga_1-z2N/GaN超晶格（其中0≤y，y1，y2＜x， 0≤z，z1，z2＜x），超晶格周期数是1～20。

3.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，其特征在于：所述n型插入层是n-In_yGa_1-yN，所述p型插入层是p-In_zGa_1-zN，其中0≤y＜x， 0≤z＜x，所述n型插入层电子浓度大于10¹⁹cm^-3， p型插入层空穴浓度要求大于10¹⁸cm^-3，所述n型插入层厚度是10～100nm；所述p型插入层厚度是10～100nm。

4.根据权利要求1所述的采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，其特征在于：所述n型插入层是n-In_yGa_1-yN/GaN超晶格，所述p型插入层是p-In_zGa_1-zN/GaN 超晶格，其中0≤y＜x， 0≤z＜x，n型插入层电子浓度大于10¹⁹cm^-3， p型插入层空穴浓度要求大于10¹⁸cm^-3，所述n型超晶格周期数1～20；所述p型超晶格周期数是1～20。