[发明专利]杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法

权利要求书

1.一种杂质层形成方法，其特征在于，包括：

在基板上形成感光性的抗蚀剂材料的工序；

使用多个单位透射区域二维排列而成的曝光用掩膜，对上述抗蚀剂材料进行曝光的工序，所述单位透射区域由透射率不同的多个部分区域构成；

通过对所曝光的上述抗蚀剂材料进行显影，由此形成根据上述曝光用掩膜的透射率而膜厚局部不同的抗蚀剂层的工序；

经由该抗蚀剂层向上述基板注入离子的工序；以及

使通过上述工序向上述基板内的大致相同深度注入的离子群扩散为在横向上连结的工序。

2.根据权利要求1所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

上述曝光用掩膜的单位透射区域为，上述透射率不同的部分区域排列为格子状。

3.根据权利要求2所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

上述单位透射区域为大致正方形状，上述部分区域为上述单位透射区域被分割为4部分、分别具有上述单位透射区域的1/4面积的大致正方形状。

4.根据权利要求3所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

具有相同透射率的上述部分区域相互离开地配置。

5.根据权利要求1所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

通过上述曝光工序形成的抗蚀剂层是多个单位抗蚀剂区域二维排列而成的，该单位抗蚀剂区域由膜厚不同的多个部分区域构成。

6.根据权利要求5所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

上述单位抗蚀剂区域所包含的多个部分区域中，包含膜厚实质上为0的部分。

7.根据权利要求1所记载的杂质层形成方法，其特征在于，

上述扩散工序为热扩散工序。

8.一种固体摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基板的表面上所形成的基底层的表面上，以格子状排列形成多个光电转换部的工序；

在包含上述多个光电转换部的上述基底层的表面上，形成感光性的抗蚀剂材料的工序；

对曝光用掩膜进行对位，以使该曝光用掩膜的各非透射区域配置在上述多个光电转换部上的工序，该曝光用掩膜为，由排列为格子状的上述多个非透射区域及设置在这些非透射区域之间的透射区域构成，上述透射区域为多个单位透射区域二维排列，各上述单位透射区域由透射率不同的多个部分区域构成；

使用上述曝光用掩膜对上述抗蚀剂材料进行曝光的工序；

通过对所曝光的上述抗蚀剂材料进行显影，由此形成根据上述曝光用掩膜的透射率而膜厚局部不同的抗蚀剂层的工序；

经由该抗蚀剂层向上述基底层的上述光电转换部之间注入离子的工序；以及

通过使注入到上述基底层内的大致相同深度的离子群扩散为在横向上连结，由此形成像素分离层的工序。

9.根据权利要求8所记载的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述曝光用掩膜的单位透射区域为，上述透射率不同的部分区域排列为格子状。

10.根据权利要求9所记载的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述单位透射区域为大致正方形状，上述部分区域为上述单位透射区域被分割为4部分、分别具有上述单位透射区域的1/4面积的大致正方形状。

11.根据权利要求8所记载的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

通过上述曝光工序形成的抗蚀剂层是多个单位抗蚀剂区域二维排列而成的，该单位抗蚀剂区域由膜厚不同的多个部分区域构成。

12.根据权利要求10所记载的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述单位抗蚀剂区域所包含的多个部分区域中，包含膜厚实质上为0的部分。

13.根据权利要求8所记载的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述扩散工序为热扩散工序。