[发明专利]深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法

权利要求书

1.一种深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT器件的制作方法，包括如下过程：

第一步，在蓝宝石或SiC基片上，利用MOCVD工艺，依次生长GaN缓冲层、本征GaN层、Al_0.3Ga_0.7N层和GaN帽层；

第二步，在GaN帽层上进行有源区台面隔离和欧姆接触制作形成源极和漏极；

第三步，在GaN帽层上进行100～200nm的第一层SiN介质层淀积，并在源漏极之间区域依次进行0.5～0.7μm的亚微米级栅光学光刻和各向异性的槽栅干法刻蚀，形成槽栅结构；

第四步，在第一层SiN上进行各向同性的第二层SiN介质层淀积，淀积厚度为250～300nm；

第五步，采用各向异性的干法刻蚀去除第二层淀积的250～300nm厚的SiN，形成0.15～0.25μm的深亚微米槽栅结构。

第六步，在形成的深亚微米槽栅结构上完成栅电极的制作，并对源、漏和栅电极进行压焊点引出。

2.根据权利要求书1中所述的深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT器件的制作方法，所述第三步和第四步中的SiN介质层淀积，是在如下工艺条件下进行：

混合气体为2％-4％的SiH₄和N₂，其流量200-250sccm，

NH₃流量为2-4sccm，

He流量为200-250sccm，

反应室压强为500-600m T，

温度为250-300℃，电极功率为20-30W。

3.根据权利要求书1中所述的深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT器件的制作方法，其中所述第三步和第五步中的干法刻蚀条件为：Cl₂流量为10-20sccm，反应室压强10-20mT，电极功率150-200W。