[发明专利]双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术无效
申请号: | 201110282345.7 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN103022223A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 简唯伦;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 表面 处理 技术 | ||
所属技术领域:
本发明是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上进行表面处理,形成良好的穿隧结(tunnel junction),以增加太阳能电池发电效率。
背景技术
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率,纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时,其接面扮演相当重要的角色,若无良好的穿隧结产生,两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果,所以能在此接面产生良好的穿隧结,将可大大提升太阳能电池之效率,增加其产业竞争力。
发明说明
本发明主要是采用氢气电浆轰击机制,在双结薄膜太阳能电池接面进行表面轰击,在此接面形成一些额外的缺陷,而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率,有效阻止载子分离形成反向的内建电场,获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结,若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构,此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量,大大提升薄膜太阳能电池之效能。
具体实施方法
吾将本发明搭配附图,详细说明如下:
图1为本发明双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之制程示意图,由图中可得知,先于基板(1)上先后镀制电极(2)和一单结薄膜太阳能电池(3),之后在以镀制完成的太阳能电池表面上,使用氢气电浆进行表面轰击处理,在此接面形成一些额外的缺陷层(4),之后再镀制上第二层薄膜太阳能电池(5)和电极(6),即完成有良好穿隧结之高效能双结薄膜太阳能电池。
图2为本发明双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之内建电场图,由图可得知,在第一(3)、二(5)层薄膜太阳能电池内部所形成之内建电场方向(7)是一样的,但在双结接面上,因为第一层N型薄膜层(3-1)与第二层P型薄膜层(5-1)容易形成反方向之内建电场,将影响载子的传递,在此接面加上一道氢气电浆表面处理(4)制程,可有效抵制反巷内建电场形成,有效提升双结薄膜太阳能电池之效率,增加太阳能产业进争能力。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
附图说明:下面为结合附图对本发明进一步说明。
图1为本发明双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之制程示意图。
图2为本发明双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之内建电场图。
图标主要符号说明:1 …基板2 …电极3 …第一层薄膜太阳能电池3-1.第一层薄膜太阳能电池之P型薄膜层4 …氢气电浆轰击层5 …第二层薄膜太阳能电池5-1.第二层薄膜太阳能电池之N型薄膜层6 …电极7 …内建电场方向。
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