[发明专利]改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术

权利要求书

1.本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。

2.根据权利要求1所叙述的一种改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术，皆适用于N-I-P(N-P)或P-I-N(P-N)型薄膜太阳能电池，只要为双结太阳能电池，运用此技术，皆属于本发明之权利要求。

3.根据权利要求1所叙述的一种改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术，在双结接面镀制一层透明氧化层，在此接面形成一些额外的缺陷层，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，同时也因为此层为透明薄膜层，并不会影响光行进。