[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法

权利要求书

1.一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：在所述硅衬底上形成有深N阱，所述深N阱的深度大于所述浅槽场氧的深度，纵向PNP器件形成于所述深N阱中并被所述深N阱包围；

所述纵向PNP器件的集电区由形成于所述深N阱上方的所述有源区中的第一P型离子注入区和第二P型离子注入区组成；

所述第一P型离子注入区的深度大于所述浅槽场氧的深度，所述第一P型离子注入区横向扩散进入所述有源区周侧的所述浅槽场氧的底部的所述硅衬底中，所述第一P型离子注入区和所述深N阱相接触；

所述第二P型离子注入区的深度小于所述浅槽场氧的深度，所述第二P型离子注入区位于所述第一P型离子注入区的上部且互相接触在一起；

所述第二P型离子注入区的掺杂浓度大于所述第一P型离子注入区的掺杂浓度，所述第一P型离子注入区的掺杂浓度小于所述深N阱的掺杂浓度；

在所述浅槽场氧的底部形成有P型赝埋层，所述P型赝埋层和所述有源区相隔一段距离、且所述P型赝埋层和所述第一P型离子注入区接触连接，通过所述P型赝埋层和所述有源区间的距离调节所述纵向PNP器件的击穿电压，在所述P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第一深孔接触，所述第一深孔接触和所述P型赝埋层接触并引出集电极；

在所述浅槽场氧的底部的所述深N阱中形成有N型赝埋层，所述N型赝埋层和所述P型赝埋层相隔一段距离、且所述N型赝埋层不和所述第一P型离子注入区接触；在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第二深孔接触，所述第二深孔接触和所述N型赝埋层接触并引出所述深N阱的电极。

2.如权利要求1所述的锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，其特征在于：所述纵向PNP器件的基区由形成于所述有源区中且位于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；所述基区的掺杂浓度大于所述集电区的掺杂浓度；在所述有源区上方形成有N型掺杂的多晶硅，所述多晶硅的工艺条件和锗硅BiCMOS工艺中的锗硅异质结双极型晶体管的发射极多晶硅的工艺条件相同，所述多晶硅和所述基区接触作为所述基区的引出端，在所述多晶硅上形成有金属接触，该金属接触引出基极。

3.如权利要求1所述的锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，其特征在于：所述纵向PNP器件的发射区由形成于所述有源区上方的P型掺杂的锗硅单晶层组成，所述锗硅单晶硅的工艺条件和锗硅BiCMOS工艺中的锗硅异质结双极型晶体管的基区的工艺条件相同，所述锗硅单晶硅的P型掺杂包括采用所述锗硅BiCMOS工艺中的锗硅异质结双极型晶体管的外基区的P型掺杂；所述发射区和所述基区接触，在所述发射区上形成有金属接触，该金属接触引出发射极。

4.如权利要求2或3所述的锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，其特征在于：所述发射区和所述多晶硅间通过绝缘膜侧墙互相隔离。