[发明专利]半导体器件制造方法无效

申请号：	201110282910.X	申请日：	2011-09-22
公开（公告）号：	CN103021929A	公开（公告）日：	2013-04-03
发明（设计）人：	鲍宇	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	魏小薇
地址：	100176 北京市***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件制造方法，包括：

(a)对第一电介质层(201)进行刻蚀以形成凹陷(203)，其中所述第一电介质层(201)是由第一电介质材料形成的；

(b)在所述第一电介质层(201)和所述凹陷(203)的上方沉积第二电介质材料以形成第二电介质层(202)，使得所述凹陷(203)被所述第一电介质层(201)和所述第二电介质层(202)包围以形成气隙(205)；

(c)执行刻蚀，使得与所述气隙(205)相邻地在所述第一电介质层(201)和所述第二电介质层(202)中形成第一沟槽(206)。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

(d)在所述第一沟槽(206)中填充第一导电材料(207)。

3.根据权利要求1的方法，还包括：

(j)从所述第一沟槽(206)继续进行刻蚀，以形成第一贯穿孔(216)，相互连通的所述第一沟槽(206)和所述第一贯穿孔(216)贯穿所述第一电介质层(201)和所述第二电介质层(202)。

4.根据权利要求3的方法，还包括：

(l)在所述第一沟槽(206)和所述第一贯穿孔(216)中填充第一导电材料(207)。

5.根据权利要求1的方法，还包括：

(k)在步骤(a)之前，在第一阻挡层(210)上形成所述第一电介质层(201)。

6.根据权利要求3的方法，还包括：

(k)在步骤(a)之前，在第一阻挡层(210)上形成所述第一电介质层(201)，

其中，在步骤(j)中所形成的第一贯穿孔(216)贯穿所述第一阻挡层(210)。

7.根据权利要求2或4的方法，还包括：

(e)对所述第一导电材料(207)进行化学机械研磨，使得研磨所得到的表面高于所述气隙(205)的顶端。

8.根据权利要求7的方法，还包括：

(f)在通过所述化学机械研磨所得到的表面上形成第二阻挡层(208)。

9.根据权利要求8的方法，还包括：

(g)在所述第二阻挡层(208)上形成第三电介质层(211)；

(h)对所述第三电介质层(211)进行刻蚀，以形成第二沟槽(212)和与所述第二沟槽(212)连通的第二贯穿孔(213)，所述第二沟槽(212)和所述第二贯穿孔(213)贯通所述第三电介质层(211)和所述第二阻挡层(208)，所述第二贯穿孔(213)的下端与所述第一导电材料(207)的顶端基本上齐平；以及

(i)在所述第二沟槽(212)和所述第二贯穿孔(213)中填充第二导电材料(217)。

10.根据权利要求9的方法，其中

所述第二导电材料(217)与所述第一导电材料(207)是相同的导电材料。

11.根据权利要求10的方法，其中

所述导电材料是铜。

12.根据权利要求1的方法，其中

所述第一电介质材料和所述第二电介质材料是相同的低介电常数材料，该低介电常数材料的相对介电常数低于3.0。

13.根据权利要求12的方法，其中

所述低介电常数材料包含硅氧化物和碳。

14.根据权利要求12的方法，其中

所述低介电常数材料包含硅氧化物和氟。

15.一种半导体器件制造方法，包括：