[发明专利]InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201110283054.X | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299066A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;王晶;刘波;房玉龙;敦少博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | inaln 材料 酸碱 交替 选择 湿法 腐蚀 方法 | ||
1.InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）碱性腐蚀液腐蚀InxAlN：将待腐蚀InxAlN晶圆片用碱性腐蚀液腐蚀，碱性腐蚀液为能腐蚀InxAlN材料的碱性溶液，0≤x＜1；
（2）酸性腐蚀液清洗颗粒状残余物：用酸性腐蚀液腐蚀InxAlN晶圆片，酸性腐蚀液为HCl、HF、H3PO4或HNO3的水溶液，0≤x＜1；
（3）按先步骤（1）后步骤（2）的顺序或先步骤（2）后步骤（1）的顺序循环至达到腐蚀要求，循环结束于步骤（1）或步骤（2）。
2.如权利要求1所述的InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于：碱性腐蚀液腐蚀InxAlN的温度T为30℃＜T≤100℃，0≤x＜1。
3.如权利要求1所述的InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于：酸性腐蚀液清洗颗粒状残余物的温度T为0℃＜T≤100℃。
4.如权利要求1所述的InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于：步骤（1）中将待腐蚀InxAlN晶圆片用碱性腐蚀液腐蚀后用去离子水冲洗InxAlN晶圆片，再用氮气吹干，0≤x＜1。
5.如权利要求1所述的InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于：步骤（2）中用酸性腐蚀液腐蚀InxAlN晶圆片后用去离子水冲洗InxAlN晶圆片，再用氮气吹干，0≤x＜1。
6.如权利要求1、2、3、4或5所述的InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于：碱性腐蚀液为KOH、NaOH或TMAH的水溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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