[发明专利]形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体晶片；

在半导体晶片的有源表面上形成绝缘层；

在绝缘层上形成导电层；

从与有源表面相对的半导体晶片的背表面、通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔；

在第一通孔中沉积导电材料以形成导电穿硅通孔（TSV）；

在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔；以及

在第二通孔中沉积第一绝缘材料以形成绝缘环形环。

2.权利要求1的方法，还包括在第一通孔中沉积第二绝缘材料以在导电TSV 内形成绝缘芯。

3.权利要求1的方法，还包括去除导电TSV的一部分至在半导体晶片的背表面下面的水平。

4.权利要求1的方法，其中，所述导电TSV延伸到半导体晶片的背表面之上。

5.权利要求1的方法，其中，所述导电TSV的宽度小于绝缘环形环的宽度。

6.权利要求1的方法，其中，所述导电TSV的宽度大于绝缘环形环的宽度。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体晶片；

形成通过半导体晶片的第一通孔；

在第一通孔中沉积导电材料以形成导电通孔；

在形成导电通孔之后，在导电通孔周围形成通过半导体晶片的第二通孔；以及

在第二通孔中沉积第一绝缘材料以形成绝缘环。

8.权利要求7的方法，还包括：

在半导体晶片的有源表面之上形成绝缘层；以及

在绝缘层之上形成导电层。

9.权利要求8的方法，其中，所述导电通孔和绝缘环延伸至导电层。

10.权利要求7的方法，其中，所述绝缘环在半导体晶片的表面处终止。

11.权利要求7的方法，还包括在第一通孔中沉积第二绝缘材料以在导电通孔内形成绝缘芯。

12.权利要求7的方法，还包括去除导电通孔的一部分至在半导体晶片的表面下面的水平。

13.权利要求7的方法，其中，所述导电通孔延伸到半导体晶片的表面之上。

14.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

形成通过半导体管芯的第一通孔；

在第一通孔中沉积导电材料以形成导电通孔；

在导电通孔外面形成通过半导体管芯的第二通孔；以及

在第二通孔中沉积第一绝缘材料以形成绝缘环。

15.权利要求14的方法，还包括：

在半导体管芯的有源表面之上形成绝缘层；以及

在绝缘层之上形成导电层。

16.权利要求15的方法，其中，所述导电通孔和绝缘环延伸至导电层。

17.权利要求14的方法，其中，所述绝缘环在半导体管芯的表面处终止。

18.权利要求14的方法，还包括在第一通孔中沉积第二绝缘材料以在导电通孔内形成绝缘芯。

19.权利要求14的方法，还包括去除导电通孔的一部分至在半导体管芯的表面下面的水平。

20.权利要求14的方法，其中，所述导电通孔延伸到半导体管芯的表面之上。

21.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

通过半导体管芯形成的导电通孔；以及

在导电通孔外面通过半导体管芯形成的绝缘环。

22.权利要求21的半导体器件，其中，所述绝缘环在半导体管芯的表面处终止。

23.权利要求21的半导体器件，还包括在导电通孔内的绝缘芯。

24.权利要求21的半导体器件，其中，所述导电通孔凹陷在半导体管芯的表面下面。

25.权利要求21的半导体器件，其中，所述导电通孔延伸到半导体管芯的表面之上。