[发明专利]使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜无效
申请号: | 201110284054.1 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN103014679A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/458;C23C16/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 carrier 顶升传片 技术 进行 薄膜 镀膜 | ||
1.一种使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜,其系统主要包含入口端、入口端Carrier顶升、抽真空腔、P.I.N型半导体制程腔、出口端;在每个腔体内都设有传动轮轴及真空Pump,且制程腔内则有加热装置、Showerhead气流孔及RF电极,以进行制程;而本发明Carrier顶升技术则是架设在入口端及出口端处,其入出口端除了有传动轮轴外,其Carrier上都设有pin装置,且Carrier四周围也都设有治具,以便能够固定住玻璃,当Robot将TCO玻璃从台车上夹取出来时,并准备送至入口端前,其入口端的平面Carrier即会将pin顶升,并让Robot可以送TCO玻璃到Carrier上的pin,由pin去支撑TCO玻璃,随后当Robot离开入口端后,其pin则开始下降,将TCO玻璃平放于Carrier上方,完成之后,其Carrier四周的治具则开始移动,压在玻璃的四周上,此时从外观看则像是玻璃被镶入到Carrier上,完成后即可将此Carrier传入到抽真空腔内,并随后进行P.I.N型半导体制程,当完成制程后,Carrier传到出口端,此时其治具同样会开始移动,使治具离开镀膜后玻璃,且pin也在此时开始顶升,将玻璃顶到适当位置,随后Robot再取片至台车上即完成,此发明的主要目的就是将玻璃镶入在Carrier内,不会受到加热时产生翘曲以及在制程时可以就由传导热以及辐射热而达到均温效果,如此可提升膜层加热均匀度,则可以提升太阳能硅薄膜电池效率。
2.根据权利要求1所述的一种使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜,其中在Carrier上设有可进行上升及下压的pin,以及可作移动式的治具,这两种发明可以让玻璃进入到PECVD之前可以作均匀的加热,且也不会造成玻璃因为大尺寸的关系而有变形翘曲的情形发生。
3. 根据权利要求1所述的一种使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜,其中在入口端及出口端都设有此Carrier,此当Robot作取片以及放片时,其Carrier上的pin可作上升下压且治具可作移动,让Robot作取片时不会有造成玻璃破片的危险,且可作完整的取放片动作。
4. 根据权利要求1所述的使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜,其加热及破真空腔体都设有Sensor定位校正,可让承载玻璃的Carrier先进行校正定位,不会受到Slit valve的开关而导致有挤压Carrier的可能性,且腔体都设有真空Pump及Vent的开关,可以藉由电脑界面观察其腔体的状况,可依现场实际状况作玻璃的抽真空及破真空动作。
5. 根据权利要求1所述的使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜,其制程P.I.N型半导体,同样也有Sensor进行定位校正,且其气体会从气流孔顺势而下到Showerhead作分流,当腔体内达到制程压力时,其RF即可开启进行镀膜,因为玻璃是在平面的Carrier保护下,故不易有破片的可能,且因为玻璃受到腔体的辐射热及Carrier的传导热,故玻璃镀膜时是在最均匀的状况下进行,故可在制程结束后看到玻璃表面颜色呈现均匀状,且膜层厚度也可以达均匀状,进而提高太阳能硅薄膜电池效率。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的