[发明专利]掺氧半绝缘多晶硅膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201110284444.9 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103021801A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李如东;谭灿建;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺氧半 绝缘 多晶 及其 制作方法 | ||
1.一种掺氧半绝缘多晶硅膜的制作方法，其特征在于，该方法包括：
按照第一流量比向放置有硅片的反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在硅片上反应，持续反应达到第一反应时间长度后，生成具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘多晶硅层；
按照第二流量比向反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在所述第一掺氧半绝缘多晶硅层上反应，持续反应达到第二反应时间长度后，生成具有第二含氧量的第二掺氧半绝缘多晶硅层；
其中，所述第二含氧量大于所述第一含氧量。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一流量比为0.24时，所述第一含氧量为21％。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二流量比为0.4时，所述第二含氧量为45％。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，生成第一掺氧半绝缘多晶硅层的第一反应时间长度大于生成第二掺氧半绝缘多晶硅层的第二反应时间长度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述生成第一掺氧半绝缘多晶硅层的第一反应时间长度为70分钟，所述生成第二掺氧半绝缘多晶硅层的第二反应时间长度为13分钟。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，生成第一掺氧半绝缘多晶硅层和第二掺氧半绝缘多晶硅层的反应温度均为650摄氏度，反应压力为200毫托。
7.一种掺氧半绝缘多晶硅膜，其特征在于，包括：
位于硅片上的具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘多晶硅层；
位于所述第一掺氧半绝缘多晶硅层上的、具有第二含氧量的第二掺氧半绝缘多晶硅层；
其中，所述第二含氧量大于所述第一含氧量。
8.如权利要求7所述的掺氧半绝缘多晶硅膜，其特征在于，所述第一掺氧半绝缘多晶硅层的厚度大于所述第二掺氧半绝缘多晶硅层的厚度。
9.如权利要求8所述的掺氧半绝缘多晶硅膜，其特征在于，所述第一掺氧半绝缘多晶硅层的厚度为3500埃，所述第二掺氧半绝缘多晶硅层的厚度为2000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
