[发明专利]一种磁场封釉工艺及其磁性釉剂无效
| 申请号： | 201110284605.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102441522A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 卫国英;金震;葛洪良;余云丹 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/14;B05D7/24;B05D3/00;C03C8/00 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 陈辉 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 工艺 及其 磁性 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁场封釉工艺，其特征在于，包括以下步骤：首先，利用传统表面处理技术，去除封釉对象表面的尘垢及污渍；接着，将磁性釉剂均匀涂抹至封釉对象的表面；然后，在所述封釉对象的反侧添加磁场，用磁场处理一段时间，擦去表面残留釉剂；最后，将封釉对象放在干燥阴凉处8小时晾干。
2.如权利要求1所述的一种磁场封釉工艺，其特征在于，所述磁场强度高于0.1T。
3.如权利要求1所述的一种磁场封釉工艺，其特征在于，所述磁场处理时间高于5分钟。
4.如权利要求1所述的一种磁场封釉工艺，其特征在于，所述磁性釉剂中含有磁性成分。
5.如权利要求4所述的一种磁场封釉工艺，其特征在于，所述磁性釉剂中磁性成分为四氧化三铁。
6.如权利要求5所述的一种磁场封釉工艺，其特征在于，所述磁性釉剂中四氧化三铁的质量分数为10%~20%。
7.如权利要求1所述的磁场封釉工艺所用的一种磁性釉剂，其特征在于，磁性釉剂中含有磁性成分。
8.如权利要求7所述的一种磁性釉剂，其特征在于，磁性釉剂中磁性成分为四氧化三铁。
9.如权利要求8所述的一种磁性釉剂，其特征在于，磁性釉剂中四氧化三铁的质量分数为10%~20%。
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