[发明专利]一种铜基复合电极的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110284927.9 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102445479A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 张小俊;黄燕;于刘涛;王广凤;方宾 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 方南
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铜基复合电极的制备方法,包括以下步骤:

a、氢氧化镍溶液的制备工序:

在室温、搅拌的条件下,将氢氧化钠溶液滴入二价镍溶液中,滴加完成后,搅拌5-10分钟,即可,氢氧化钠与二价镍盐的摩尔比为1∶0.5-1.5;

b、复合电极的制备工序:

在反应釜中,加入制备好的氢氧化镍溶液,再将铜制的电极浸入,将反应釜密闭,在150℃-200℃的情况下,反应6-10小时,冷却至室温,清洗电极,室温干燥,即可,氢氧化镍与铜制电极的质量/面积比为0.005-0.015g/平方厘米。

2.根据权利要求1所述的一种铜基复合电极的制备方法,其特征在于:所述的氢氧化钠与二价镍盐的摩尔浓度比为1∶1。

3.根据权利要求1所述的一种铜基复合电极的制备方法,其特征在于:所述的二价镍盐为氯化镍、硝酸镍、醋酸镍。

4.根据权利要求1所述的一种铜基复合电极的制备方法,其特征在于:所述的氢氧化钠溶液和二价镍溶液的浓度都为0.2M。

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