[发明专利]金属层冗余金属填充测试光掩模设计和应用有效
申请号: | 201110285096.7 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102446826A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 毛智彪;郑春生 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;G03F1/44 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 冗余 填充 测试 光掩模 设计 应用 | ||
1.一种金属层冗余金属填充测试光掩模设计,其特征在于,包括有一版图,所述版图由n×m个不同图形密度形成的区域,所述不同图形密度区域内包括多重转折结构的自屏蔽高密度电容、亚分辨率辅助图形、可分辨辅助图形和冗余图形阵列。
2.根据权利要求1所述金属层冗余金属填充测试光掩模设计,其特征在于,所述不同图形密度区域的高密度电容的金属线条线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽,转折结构数目大于等于一重转折。
3.根据权利要求1所述金属层冗余金属填充测试光掩模设计,其特征在于,所述不同图形密度区域的冗余图形阵列为相同尺寸的冗余图形。
4.根据权利要求1所述金属层冗余金属填充测试光掩模设计,其特征在于,所述不同图形密度区域的冗余图形阵列为不同尺寸的冗余图形。
5.根据权利要求3或4所述金属层冗余金属填充测试光掩模设计,其特征在于,所述不同图形密度区域的冗余图形的线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
6.一种金属层冗余金属填充测试光掩模应用,其特征在于,建立版图中n×m个区域的密度和相邻区域的密度梯度数据库。
7.根据权利要求6所述金属层冗余金属填充测试光掩模应用,其特征在于,通过光刻曝光在光刻胶中形成测试光掩模的版图图形,一个或多个多重转折结构自屏蔽高密度电容形成的二维线条结构作为监测光刻工艺中产生缺陷的监测图形;通过对光刻胶中各种线条线宽的量测,建立亚分辨率辅助图形和可分辨辅助图形对各种线条线宽影响的数据库;通过刻蚀将光刻胶中的版图图形转移到衬底低介质层中,继续后续的金属层沉积和金属层化学机械研磨制作导线金属和冗余金属填充。
8.根据权利要求7所述金属层冗余金属填充测试光掩模应用,其特征在于,建立多重转折结构自屏蔽高密度电容的数据库。
9.根据权利要求8所述金属层冗余金属填充测试光掩模应用,其特征在于,测量各种线条局部区域的平坦度,建立可分辨辅助图形对各种线条局部区域的平坦度影响的数据库;测量n×m个区域经过金属层化学机械研磨后的平坦度,确立优化的金属层化学机械研磨工艺菜单;建立n×m个区域的密度、相邻区域的密度梯度和各区域经过金属层化学机械研磨后的平坦度之间关系的数据库。
10.根据权利要求9所述金属层冗余金属填充测试光掩模应用,其特征在于,根据客户产品的图形密度,及其相邻区域的图形密度,利用上述数据库预测经过金属层化学机械研磨后的平坦度和需要的图形密度调整。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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