[发明专利]一种基于全低温工艺的柔性透明1T1R的制造方法无效
| 申请号： | 201110285132.X | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332430A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;杨雯;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 低温 工艺 柔性 透明 t1r 制造 方法 | ||
1.一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于具体步骤包括：
提供一个柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成栅电极；
覆盖所述栅电极形成栅氧化层；
在所述栅氧化层上形成透明氧化物沟道；
在所述氧化物沟道两侧形成源、漏电极；
在所述漏电极上形成氧化物阻变存储层；
在所述氧化物阻变存储层上形成顶电极。
2.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的柔性衬底由聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺或者金属及陶瓷材料形成。
3.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的栅电极由锡掺杂的氧化铟形成。
4.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的栅氧化层由二氧化硅、氮化硅或者其它高介电常数材料形成。
5.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的透明氧化物沟道由ZnO或ZnInSnO材料形成。
6.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的源、漏电极由ITO，或者掺杂Al、In的ZnO材料形成。
7.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的氧化物阻变存储层由TiO2、ZrO2、SrTiO3或Al2O3材料形成。
8.根据权利要求1所述的柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于，所述的顶电极由ITO，或者掺杂Al、In的ZnO材料构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
