[发明专利]电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器无效
| 申请号： | 201110285521.2 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102420287A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 相对于 电极 定义 横向 流动 相变 只读存储器 | ||
1.一种存储器装置，包括：
一第一电极；
一第二电极，相对于该第一电极；
一介电结构，配置在该第一电极与该第二电极之间；以及
一相变化存储器结构，与该第一电极接触并与该第二电极接触，该相变化存储器结构围绕该介电结构。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该介电结构的表面未与该第一电极接触且未与该第二电极接触。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该相变化存储器结构的一厚度小于该第一电极的一宽度而大于该第一电极的该宽度的一半。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，至少该相变化存储器结构是介于该介电结构的任一表面与该第一电极及该第二电极两者之间。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，经历相变化的一作用区是在介于该介电结构与该第一电极之间的该相变化存储器结构的一部分中。
6.一种存储器装置，包括：
一第一电极与一第二电极，之间具有一电流路径；
一介电结构，配置在该第一电极与该第二电极之间，该电流路径行经邻近该介电结构；以及
一相变化存储器结构，决定该电流路径中电流的量，该相变化存储器结构围绕该介电结构。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，该介电结构阻挡该第一电极与该第二电极之间的任一直线电流路径，使得该第一电极中的一电流方向不同于第一电极与该第二电极之间的至少部分的该相变化存储器结构中的一电流方向。
8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，经历相变化的一作用区填充介于该介电结构与该第一电极之间的该相变化存储器结构的一部分。
9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，该第一电极与该相变化存储器结构之间的一界面是定义一平面，该电流路径的至少一部分是沿着该平面走。
10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，该第一电极与该第二电极定义一轴，行经在该第一电极与该第二电极之间，该电流路径的至少一部分邻近该介电结构并垂直于该轴。
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