[发明专利]处理半导体器件的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201110285746.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103021853A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 半导体器件 方法 | ||
1.一种处理半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底的外延层上表面形成初始氧化层后，对所述外延层进行刻蚀形成沟槽；
所述沟槽内表面形成栅极氧化层后，对所述外延层进行多晶硅生长；
回刻所述多晶硅后，所述沟槽内的多晶硅顶端平面低于所述沟槽的顶端平面；
进行介质层淀积，所述初始氧化层表面覆盖的介质层与所述沟槽内的多晶硅表面覆盖的介质层在垂直方向具有高度差；
去除所述外延层表面的所述介质层和初始氧化层后，进行金属层生长。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述外延层进行刻蚀形成沟槽之后，还包括：
采用倾斜角度杂质注入的方式，通过所述沟槽开口处，对所述外延层进行体区杂质注入；
进行杂质驱入，在所述外延层内形成体区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述外延层内形成体区后，还包括：采用倾斜角度杂质注入的方式，通过所述沟槽开口处，对所述体区进行源区杂质注入，在所述体区内形成源区。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述回刻所述多晶硅，包括：去除所述沟槽内生长的多晶硅之外的多晶硅，且去除所述沟槽内的部分多晶硅，确保所述沟槽内的多晶硅顶端平面低于所述沟槽的顶端平面。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽内的多晶硅的顶端平面低于所述沟槽的顶端平面1000埃。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进行介质层淀积时，所述介质层的厚度不小于所述多晶硅顶端平面和沟槽顶端平面之间的高度差。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述外延层表面的所述介质层和初始氧化层，包括：
采用化学机械抛光方式或者涂覆玻璃旋涂方式，去除所述外延层表面的所述介质层和初始氧化层。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
位于衬底上表面的外延层；
位于所述外延层内的体区；
位于所述体区内的源区；
位于所述源区、体区和外延层内的沟槽，所述沟槽内表面具有栅极氧化层，所述沟槽内具有多晶硅和位于所述多晶硅上方的介质层；
位于所述外延层上表面的金属层。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅的顶端平面低于所述沟槽的顶端平面。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的顶端平面与所述沟槽的顶端平面一致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
