[发明专利]一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对硅片表面进行处理，形成黑硅；

将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中；

在所述黑硅表面生长一层镍金属；

向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构；

在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜，形成异质结黑硅太阳能电池。

2.如权利要求1所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为多晶硅。

3.如权利要求2所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片表面进行处理，形成黑硅的步骤之前还包括：所述硅片的表面经过标准液和氢氟酸清洗，在硅片表面形成硅氢键。

4.如权利要求3所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片的表面经过标准液和氢氟酸清洗，在硅片表面形成硅氢键的步骤之前还包括：对所述硅片进行掺杂，形成P型多晶硅或者N型多晶硅，掺杂浓度为10¹²-10¹⁶。

5.如权利要求1所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片表面进行处理具体为：用飞秒激光照射所述硅片表面使其产生针状纳米结构。

6.如权利要求1所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅衬底表面生长一层镍金属具体包括：

A．向所述原子层沉积设备反应腔中通入镍前驱体，所述镍前驱体分解出的镍原子吸附在所述硅衬底表面；

B．向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氢物质，通过等离子体放电，使得含氢物质中的氢原子与所述镍前驱体分解出来的配位基团反应，同时和所述硅衬底表面的镍原子形成镍氢键；

经过步骤A和步骤B多次交替反应后，所述硅衬底表面生长一层镍金属。

7.如权利要求6所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述镍前驱体为含镍络合物Ni[OC(CH₃)(C₂H₅)CH₂N(CH₃)₂]₂。

8.如权利要求6所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述含氢物质为氨气，所述含氢物质通入所述原子层沉积设备反应腔的流速为50sccm-400sccm，所述原子层沉积设备反应腔的等离子体放电功率为100w-1000w。

9.如权利要求1所述的异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碳氢物质为乙炔，所述碳氢物质通入所述原子层沉积设备反应腔的流速为10sccm-100sccm，所述原子层沉积设备反应腔的等离子体放电功率为20w-150w，放电时间为1s。