[发明专利]密闭型容器以及半导体制造装置无效
| 申请号： | 201110287402.0 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102446790A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎克弘 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密闭 容器 以及 半导体 制造 装置 | ||
1.一种密闭型容器，是收纳半导体衬底并在传送中使用的密闭型容器，包括：
传感器部，设置在该容器主体内侧，检测该容器内的温度、湿度和气体浓度中的至少一个；以及
外部输出部，输出由该传感器检测到的信息。
2.根据权利要求1所述的密闭型容器，其特征在于：上述外部输出部是发送装置。
3.根据权利要求1所述的密闭型容器，其特征在于：上述外部输出部是设置在容器主体上的监视器等的显示部。
4.根据权利要求1所述的密闭型容器，其特征在于：在俯视上述容器主体时，在和收纳在该容器主体内的上述半导体衬底的存在区域重合的位置上，并且在上述半导体衬底的保持方向上，将上述传感器部设置在上方。
5.根据权利要求1所述的密闭型容器，其特征在于：设置基于来自上述传感器部的信息注入净化气体的气体注入部。
6.根据权利要求5所述的密闭型容器，其特征在于：上述气体注入部设置在上述容器主体的顶部。
7.根据权利要求5所述的密闭型容器，其特征在于：在上述容器主体设置有对净化气体进行排气的排气部。
8.一种半导体制造装置，包括：
权利要求2所述的密闭型容器；
处理上述半导体衬底的处理装置；以及
传送装置，以密闭状态连接上述密闭型容器和上述处理装置，将上述半导体衬底从上述密闭型容器传送到上述处理装置，
所述半导体制造装置的其特征在于：
上述处理装置具有：
接收部，接收从上述发送装置输出的信息；
存储部，存储接收到的信息；以及
输出部，输出所存储的信息，
上述传送装置具有：
净化部，调整上述密闭型容器内部的气体氛围，
该净化部基于来自输出部的信息，在上述密闭型容器的内部的温度、湿度、气体浓度的至少一个满足预先确定的基准值为止进行净化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
