[发明专利]数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模组的数据写入方法及使用此方法的存储器控制器与存储器储存装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本式计算机。固态硬盘就是一种以闪速存储器作为储存媒体的储存装置。因此，近年闪速存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

随着半导体制程技术的发展，多阶存储单元(Multi Level Cell，MLC)反及(NAND)闪速存储器模组已广泛的被使用。由于MLC NAND闪速存储器物理特性，在编程部分的实体页面(physical page)时电荷会较不稳定并且邻近的实体页面可能会受到影响。例如，以4阶NAND闪速存储器模组为例，每一个实体区块具有多个实体页面并且此些实体页面可被区分为多个下实体页面与分别地对应此些下实体页面的多个上实体页面，其中一个上实体页面会对应一个下实体页面。也就是说，位于相同的字元线上的存储单元会构成一个实体页面对，并且此实体页面对包括一个下实体页面与一个上实体页面。数据写入至下实体页面的速度大于数据写入至上实体页面的速度，因此，下实体页面亦称为快速实体页面且上实体页面亦称为慢速实体页面。特别是，在编程上实体页面期间发生编程错误时，储存于对应此上实体页面的下实体页面中的数据亦可能会遗失。

因此，相对于单阶存储单元(Single Level Cell，SLC)NAND闪速存储器模组来说，MLC NAND闪速存储器模组虽容量较大，但储存可靠度较差。因此，有需要发展能够增加MLC NAND闪速存储器模组的可靠度的数据写入方法。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法与存储器控制器，其能够有效地提升写入数据至可复写式非易失性存储器模组的可靠度。

本发明提供一种存储器储存装置，其能够可靠地储存数据。

本发明的一范例实施例提出一种数据写入方法，用于一可复写式非易失性存储器模组，其中可复写式非易失性存储器模组具有多个实体区块，每一实体区块具有依序排列的多个实体页面，此些实体页面被分组为依序排列的多个实体页面对，每一实体页面对至少包括下实体页面与上实体页面，写入数据至下实体页面的速度大于写入数据至上实体页面的速度。本数据写入方法包括接收写入指令与对应此写入指令的第一数据并且将第一数据写入至此些实体页面之中的第一实体页面，其中第一实体页面属于此些实体页面对之中的第一实体页面对。本数据写入方法也包括在将第一数据写入至第一实体页面之前判断第一实体页面是否为第一实体页面对的上实体页面。本数据写入方法还包括，当第一实体页面为第一实体页面对的上实体页面时，在将第一数据写入至第一实体页面之前判断在备份区中是否存有第二数据，其中第二数据已被写入至第一实体页面对的下实体页面中。本数据写入方法还包括，当备份区未存有第二数据时，在将第一数据写入至第一实体页面之前从第一实体页面对的下实体页面中读取第二数据并且将所读取的第二数据暂存至备份区中。

在本发明的一实施例中，上述的数据写入方法还包括，当第一实体页面为第一实体页面对的上实体页面时，在将第一数据写入至第一实体页面之前判断在备份区中是否存有第三数据，其中第三数据已被写入至此些实体页面之中邻近第一实体页面对的下实体页面的其他下实体页面中。此外，本数据写方法还包括，当在备份区中未存有第三数据时，在将第一数据写入至第一实体页面之前从此其他下实体页面中读取第三数据并且将所读取的第三数据暂存至备份区中。

在本发明的一实施例中，上述的数据写入方法，还包括，当第一实体页面为第一实体页面对的上实体页面时，在将第一数据写入至第一实体页面之前判断在备份区中是否存有属于邻近第一实体页面对的至少一其他实体页面对的数据，其中在可复写式非易失性存储器模组中此其他实体页面对是排列在第一实体页面对的前面；以及当在备份区中未存有此其他实体页面对的数据时，在将第一数据写入至第一实体页面之前从此其他实体页面对中将此其他实体页面对的数据暂存至备份区中。