[发明专利]一种三维连接器件的制备方法

权利要求书

1.一种三维连接器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、对非导电基材进行金属化，在非导电基材表面形成非惰性金属层；

B、根据所需电路图案对非导电基材表面的非惰性金属层进行激光雕刻，将非惰性金属层分割为完全分开的电路区域和非电路区域；

C、将非导电基材表面的电路区域与电源负极接通，将电镀阳极材料与电源正极接通，然后将非导电基材与电镀阳极材料置于酸性或碱性电镀液中进行电镀处理，电路区域的非惰性金属层表面形成电镀加厚层，非电路区域的非惰性金属层被酸性或碱性电镀液腐蚀去除，得到所述三维连接器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A中，对非导电基材进行金属化的步骤为真空镀膜、喷镀或化学镀。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述化学镀包括将非导电基材先粗化，然后胶体钯活化、解胶，最后置于化学镀液中，在非导电基材表面形成所述非惰性金属层。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述非惰性金属层选自铜层、镍层、锡层、锌层或铝层中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述非惰性金属层的厚度为2微米以下。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B中，激光雕刻的波长为200-1200nm。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，激光雕刻的激光光斑直径小于等于0.05mm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，激光雕刻的频率为15-50KHz，雕刻速度为500-2000 mm/s，功率密度为10⁵-10⁷W/cm2。

9.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，电路区域与非电路区域的间距为50 -100微米。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C中，所述酸性或碱性电镀液选自酸性电镀铜液、酸性电镀镍液、酸性电镀锡液、碱性电镀锡液、酸性电镀锌液、碱性电镀锌液中的一种。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非导电基材为非导电塑料基材、非导电玻璃基材、非导电橡胶基材、非导电木制品或非导电陶瓷基材。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述非导电塑料基材选自丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物基材、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚酰亚胺、尼龙液晶高分子聚合物、聚丙烯或聚碳酸酯基材；所述非导电陶瓷基材选自氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或钛酸钡陶瓷。