[发明专利]一种热释电红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种热释电红外探测器，其特征在于，包括硅衬底(1)、硅衬底(1)表面的绝热层(2)、键合层(3)、热释电材料片(4)、上电极层(6)及红外吸收层(7)，其中所述硅衬底(1)的绝热层(2)和所述热释电材料片(4)通过所述键合层(3)键合在一起。

2.根据权利要求1所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述键合层(3)采用金属介质，并且作为探测器的下电极层。

3.根据权利要求2所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述金属介质包括Au-Sn合金或者焊锡。

4.根据权利要求1所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述绝热层(2)是采用射频溅射法在氩气气氛下在所述硅衬底(1)上制备的二氧化硅膜层。

5.根据权利要求1所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述热释电材料片(4)采用热释电铌酸锂晶体、铌酸锶钡、钽酸锂晶体、硫酸甘氨酸晶体或者硫酸锂晶体等热释电晶体材料。

6.根据权利要求5所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述热释电材料片(4)经过研磨法减薄。

7.根据权利要求1所述的热释电红外探测器，其特征在于，所述硅衬底(1)为凳型微桥结构。

8.一种热释电红外探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，采用射频溅射法在氩气气氛下将硅衬底(1)的表面生成二氧化硅膜层作为绝热层(2)；步骤2，将硅衬底(1)的所述绝热层(2)与热释电材料片(4)相键合，所述热释电材料片(4)采用热释电铌酸锂晶体、铌酸锶钡、钽酸锂晶体、硫酸甘氨酸晶体或者硫酸锂晶体等热释电晶体材料；

步骤3，所述热释电材料片(4)经过研磨法减薄，然后通过光刻胶掩蔽和直流溅射工艺在所述热释电材料片(4)上面制作上电极层(6)及红外吸收层(7)；

步骤4，对所述硅衬底(1)进行刻蚀形成凳形微桥结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中采用金属介质键合所述绝热层(2)与热释电材料片(4)，并且所述金属介质形成的键合层作为探测器的下电极层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述金属介质包括Au-Sn合金或者焊锡。