[发明专利]保护厚金属层光刻对准标记的方法

权利要求书

1.一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；

第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；

第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；

第四步，在晶片表面沉积厚金属层；

第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。

2.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步所涂布的光刻胶的厚度大于待沉积的厚金属层的厚度。

3.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步所涂布的光刻胶的厚度大于1um。

4.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步涂布光刻胶之前，对晶片表面进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。

5.根据权利要求1或4所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第三步之后，通过酸性或有机溶剂进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。

6.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第五步剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层的方法为采用有机溶剂浸泡。

7.根据权利要求6所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述有机溶剂是苯类、酮类、醚类或醇类的一种或者几种的混合物。