[发明专利]一种用于离子中性化的网板结构有效
| 申请号： | 201110289007.6 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102332385A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 离子 中性 板结 | ||
1.一种用于离子中性化的网板结构，所述网板结构包括上网板和中性化网板，其特征在于，所述中性化网板上设置有多个网孔，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式不同。
2.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上表面为凸状弧形，下表面为水平，中间厚，边缘薄。
3.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上表面为凹状弧形，下表面为水平，中间薄，边缘厚。
4.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上下表面均为凸状弧形，中间厚，边缘薄。
5.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上下表面为凹状弧形，中间薄，边缘厚。
6.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上表面为波浪状，下表面为凸状弧形。
7.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上表面为波浪状，下表面为水平。
8.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式为：所述中性化网板横截面上表面为波浪状，下表面为凹状弧形。
9.如权利要求1所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板的厚度为0.1～500mm；所述中性化网板由低溅射导电材料制成；所述网孔为圆柱形网孔，所述圆柱形网孔的直径为0.1～50mm；所述网孔的间距为0-10mm；所述上网板和中性化网板的电阻率为0.5μΩm～100μΩm，抗折强度为10Mpa～200Mpa，表面光洁度为Ra0.2～Ra 6.3μm。
10.如权利要求9所述的用于离子中性化的网板结构，其特征在于，所述中性化网板的厚度为0.1-500mm；所述低溅射导电材料为石墨、碳纤维、碳化硅或钼；所述圆柱形网孔的直径为0.1-3mm；所述网孔的间距为0.1-5mm。
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