[发明专利]用于补偿磁噪声的系统与方法有效
申请号: | 201110289040.9 | 申请日: | 2011-09-14 |
公开(公告)号: | CN102810494A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | K·奇科;A·利特曼;Y·纳春 | 申请(专利权)人: | 应用材料以色列公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;邢德杰 |
地址: | 以色列瑞*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 补偿 噪声 系统 方法 | ||
1.一种用于粒子束的噪声补偿方法,该方法包括以下步骤:
藉由至少两个传感器在至少一个预定频带内感测磁噪声,以提供磁噪声测量值,所述至少两个传感器彼此间隔;
基于所述磁噪声测量值及磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系,产生磁噪声补偿信号;及
响应于期望粒子束扫描图案及所述磁噪声补偿信号,藉由所述粒子束扫描物体。
2.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
界定或接收实际扫描图案,使得所述期望粒子束扫描图案在存在所述磁噪声的情况下获得;及
藉由沿着所述实际扫描图案引导所述粒子束扫描所述物体。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁噪声补偿信号被产生使得相对于所述磁噪声实际偏移180度。
4.如权利要求2所述的方法,还包括以下步骤:
延迟磁噪声测量值约180度以提供延迟信号,并应用增益函数于所述延迟信号,以提供所述磁噪声补偿信号。
5.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
在产生所述磁噪声补偿信号之前,基于所述磁噪声测量值及磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系来计算所述磁噪声补偿信号。
6.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
扫描已知形状的图案且不应用噪声补偿,以获得实际图像;及
基于所述已知形状与所述实际图像间的差异估计至少一些所述磁噪声值和至少一些所述粒子束位置误差值间的关系。
7.如权利要求6所述的方法,还包括以下步骤:
沿着圆形扫描图案扫描包括两线的图案且不应用噪声补偿,以获得所述实际图像,其中所述两线彼此垂直。
8.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
藉由包含至少一个传感器的第一组传感器在第一预定频带内感测所述磁噪声;及
藉由包含至少一个传感器、且不同于所述第一组传感器的第二组传感器在与所述第一预定频带不同的第二预定频带内感测所述磁噪声。
9.一种系统,该系统包括:
至少两个传感器,所述至少两个传感器彼此间隔且经配置以在至少一个预定频带内感测磁噪声,以提供磁噪声测量值;
噪声补偿模块,所述噪声补偿模块经配置以基于所述磁噪声测量值及所述磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系,产生磁噪声补偿信号;及
粒子束扫描器,所述粒子束扫描器经配置以响应于期望粒子束扫描图案及所述磁噪声补偿信号用粒子束扫描物体。
10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述粒子束扫描器经配置以接收实际扫描图案,使得所述期望粒子束扫描图案在存在所述磁噪声的情况下获得;及
藉由沿着所述实际扫描图案引导该粒子束扫描所述物体。
11.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述噪声补偿模块经配置以产生所述磁噪声补偿信号,所述磁噪声补偿信号相对于所述磁噪声实质偏移180度。
12.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述噪声补偿模块经配置以延迟磁噪声测量值约180度以提供延迟信号,并应用增益函数于所述延迟信号以提供所述磁噪声补偿信号。
13.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述噪声补偿模块经配置以在产生所述磁噪声补偿信号之前,基于所述磁噪声测量值及磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系来计算磁噪声补偿信号。
14.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述粒子束扫描器经配置以扫描已知形状的图案且不应用噪声补偿,以获得实际图像;且其中所述噪声补偿模块经配置以基于所述已知形状与所述实际图像间的差异来估计至少一些所述磁噪声值和至少一些粒子束位置误差值间的关系。
15.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述粒子束扫描器经配置以沿着圆形扫描图案扫描包括两线的图案且不应用噪声补偿,以获得实际图像,所述两线彼此垂直。
16.如权利要求9所述的系统,所述系统包括第一组传感器,所述第一组传感器经配置以在第一预定频带内感测所述磁噪声;及第二组传感器,所述第二组传感器经配置以在与所述第一预定频带不同的第二预定频带内感测所述磁噪声。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造