[发明专利]光电转换元件，固态成像元件，成像设备和用于制造光电转换元件的方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，所述光电转换元件包括：

绝缘膜，其形成在基板上并且由氧化物膜制成；

第一电极，其形成在所述绝缘膜上；

光接收层，其形成在所述第一电极上并且包含有机材料；和

第二电极，其形成在所述光接收层上，

其中所述第一电极由氧氮化钛制成，并且

刚好在形成所述光接收层之前的所述第一电极的组成满足：

要求(1)：在整个所述第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子％以上，或

要求(2)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氧的量是钛的量的40原子％以上。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中

刚好在形成所述光接收层之前的所述第一电极的组成另外满足：

要求(3)：在整个所述第一电极中含有的氮的量是钛的量的73原子％以下，或

要求(4)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氮的量是钛的量的90原子％以下。

3.一种光电转换元件，所述光电转换元件包括：

绝缘膜，其形成在基板上并且由氧化物膜制成；

第一电极，其形成在所述绝缘膜上；

含有机材料的光接收层，其形成在所述第一电极上并且包含有机材料；和

第二电极，其形成在所述光接收层上，

其中所述第一电极由氧氮化钛制成，并且

刚好在形成所述光接收层之前的所述第一电极的组成满足：

要求(1)：在整个所述第一电极中含有的氮的量是钛的量的73原子％以下，或

要求(2)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氮的量是钛的量的90原子％以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件，

其中在所述绝缘膜上布置并形成多个所述第一电极，并且

形成所述光接收层以覆盖所述多个第一电极。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件，

其中所述光接收层包括含有机材料的电荷阻挡层和含有机材料的光电转换层。

6.一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：

根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件；和

在所述基板上形成的信号读出电路，所述信号读出电路读出响应于在所述光接收层内产生并且由所述第一电极收集的电荷的电荷量的信号。

7.一种成像设备，所述成像设备包括根据权利要求6所述的固态成像元件。

8.一种用于制造光电转换元件的方法，所述光电转换元件包括：在其上具有由氧化物膜制成的绝缘膜的基板，在所述绝缘膜上形成的第一电极，在所述第一电极上形成并且包含有机材料的光接收层，以及在所述光接收层上形成的第二电极，所述方法包括：

在所述绝缘膜上形成所述第一电极；

在所述第一电极上形成所述光接收层；和

在所述光接收层上形成所述第二电极，其中

在所述第一电极的形成步骤中，形成所述第一电极以满足：

要求(1)：在整个所述第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子％以上，或

要求(2)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氧的量是钛的量的40原子％以上。

9.根据权利要求8所述的用于制造光电转换元件的方法，其中

在所述第一电极的形成步骤中，形成所述第一电极以另外满足：

要求(3)：在整个所述第一电极中含有的氮的量是钛的量的73原子％以下，或

要求(4)：在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内，氮的量是钛的量的90原子％以下。