[发明专利]电子可擦除式只读存储器单元

权利要求书

1.一种形成器件的方法，包含：

提供一衬底，其以通过隔离区域将单元面积与其它主动面积分隔的方式制备；

于该单元面积中形成第一晶体管及第二晶体管的第一栅极及第二栅极，其中，该第一栅极包括通过第一栅极间介电层分隔的第一及第二子栅极，且该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极，该第二栅极的该第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔；

形成该第一及第二晶体管的第一及第二接面；

形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端；以及

形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。

2.如权利要求1所述的方法，包含：

形成耦合至该第一晶体管的该第一接面的第一单元终端；以及

形成耦合至该第二晶体管的该第一接面的第二单元终端。

3.如权利要求2所述的方法，其中，

该第一晶体管作为控制栅极；

该第二晶体管作为选择栅极；

该第二单元终端作为位线；以及

该第二栅极终端作为字线。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一及该第二晶体管的该第二接面包含形成该第一及该第二晶体管的共同第二接面。

5.如权利要求1所述的方法，其中，

该第一晶体管作为控制栅极；

该第二晶体管作为选择栅极；

耦合至该第二晶体管的第二单元终端作为位线；以及

该第二栅极终端作为字线。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一及第二栅极包含：

形成第一子栅极层于该衬底上；

图案化该第一子栅极层以形成该第一及第二栅极的第一子栅极；

形成共同栅极间介电层于覆盖该第一子栅极的该衬底上，该共同栅极间介电层作为该第一及第二栅极的该第一及第二栅极间介电层；

形成第二子栅极层于覆盖该共同栅极间介电层的该衬底上；以及

图案化该第二子栅极层以形成第一及第二栅极，其中，该第一及第二栅极的该第二子栅极弯曲围绕该第一及第二栅极的该第一子栅极。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该第一及第二晶体管的该第一及第二接面包括重掺杂部分及自该第一栅极至该第二栅极延伸的轻掺杂延伸部分；以及

包含：

在形成该第一及第二栅极的该第一子栅极之后，形成该第一及第二接面的该轻掺杂延伸部分；以及

在形成该第一及第二栅极的该第二子栅极之后，形成该第一及第二接面的该重掺杂部分。

8.如权利要求7所述的方法，其中，弯曲围绕该第二栅极的该第一子栅极的该第二子栅极增加从该第一子栅极的边缘至该第一接面的该重掺杂部分的距离，以减少接面泄漏。

9.如权利要求6所述的方法，其中，图案化该第二子栅极层亦形成该器件中其它晶体管的栅极。

10.如权利要求1所述的方法，包含在形成该第一子栅极层之前形成栅极介电层于该衬底上，其中，该栅极介电层包括在该第一栅极的该第一子栅极下方的一隧道窗口。

11.如权利要求10所述的方法，其中，形成该栅极介电层包含：

形成第一栅极介电层于该衬底上；

图案化该第一栅极介电层以形成对应于该隧道窗口的开口；

形成第二栅极介电层于该第一栅极介电层之上，且覆盖该开口以形成该隧道窗口。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该第二栅极介电层亦作为该器件中其它晶体管的栅极介电层。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该栅极间介电层包含氧化物-氮化物-氧化物堆栈。

14.如权利要求1所述的方法，其中，该第一栅极间介电层包含多层介电层。

15.如权利要求1所述的方法，其中，该第二栅极终端是耦合至该第二栅极的该第一及第二子栅极。

16.如权利要求1所述的方法，其中，该第二栅极终端是耦合至该第二栅极的该第一子栅极，而该第二栅极的该第二子栅极是浮接的。