[发明专利]鳍形半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110291343.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102938372A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 林智清;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：
提供半导体基板，所述半导体基板上具有半导体岛与介电层；
在所述半导体岛及所述介电层上形成罩幕层；
在所述罩幕层内形成开口，所述开口露出所述半导体岛的顶面以及邻近所述半导体岛的所述介电层的部分顶面；
施行蚀刻程序，同时蚀刻所述罩幕层的一部分以及由所述开口露出的部分半导体岛与所述介电层；以及
移除所述罩幕层与所述介电层，在所述半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。
2.如权利要求1所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中在所述蚀刻程序中移除了特定厚度的所述罩幕层、所述半导体岛及所述介电层。
3.如权利要求1所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻程序使用对所述罩幕层、所述半导体岛及所述介电层具有不同蚀刻率的蚀刻化学品。
4.如权利要求3所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻程序中所使用的所述蚀刻化学品对所述罩幕层、所述半导体岛及所述介电层之间具有蚀刻率的相对关系，而所述蚀刻率相对关系预先设定在施行所述蚀刻程序的蚀刻机内。
5.如权利要求4所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻程序的蚀刻时间是根据所述蚀刻化学品的所述蚀刻率的相对关系而预先设定的。
6.如权利要求5所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻程序的蚀刻终点是由所述蚀刻程序的所述蚀刻时间所决定的。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻程序为干蚀刻程序。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述半导体基板与所述半导体岛包括硅。
9.如权利要求1-5中任意一项所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述介电层包括氧化硅。
10.如权利要求1-5中任意一项所述的鳍形半导体结构的制造方法，其中所述罩幕层包括氮化硅或阻剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
