[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及去除附着于半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、光盘用基板等各种基板表面上的颗粒等污染物质的基板处理方法及基板处理装置。

背景技术

以往，作为用于去除附着于基板表面的颗粒等污染物质的处理技术之一，冻结清洗技术为人们所知。在该技术中，在使形成于基板上表面上的液膜冻结后，通过融化处理来去除该冻结膜，由此将颗粒等与冻结膜一起从基板上表面去除。例如，在日本特开2008-071875号公报所记载的技术中，向基板上表面供给作为清洗液的DIW(去离子水：deionized water)并形成液膜之后，通过使喷出冷却气体的喷嘴从基板的中央部向外缘部扫描来使液膜冻结，并再次供给DIW而通过融化处理来去除冻结膜，由此从基板上表面去除颗粒。

本申请的发明者们进行各种实验的结果，发现：在冻结膜的温度与颗粒去除率之间存在一定的相关性。该相关性为，不仅使液膜冻结，而且使冻结膜的温度进一步降低，能够进一步提高颗粒去除率。因此，谋求冻结膜的温度降低在提高颗粒去除率方面是有利的，研究改良冷却气体的温度降低等液膜冷却条件。

然而，在日本特开2008-071875号公报所记载的装置中，如上所述，使喷嘴从基板的中央部向外缘部扫描，因此与基板的中央部相比，在外缘附近的每单位面积上，冷却气体的供给时间较短，与基板的中央部相比，外缘附近的冻结膜的温度未降低。因此，冻结膜的温度在基板的中央部和外缘附近不均匀，其结果，产生损害去除率的面内均匀性的问题。

因此，为了解决这种问题，例如想到了抑制喷嘴在外缘附近的移动速度来延长对外缘附近进行冷却的时间。然而，时间延长导致基板的冻结清洗处理所需的总时间变长，而导致处理能力的降低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，在去除附着于基板表面上的颗粒等污染物质的基板处理方法及基板处理装置中，提供不会导致处理能力的降低且能够以优异的面内均匀性去除颗粒等的技术。

为了实现上述目的，本发明的基板处理方法的特征在于，具有：凝固工序，一边大致水平地保持着在上表面上附着有凝固对象液的基板并使该基板围绕铅垂轴旋转，一边从喷嘴向基板的上表面供给温度比凝固对象液的凝固点低的冷却用气体，从而使凝固对象液凝固，融化工序，通过融化处理来去除在凝固工序中凝固后的凝固对象液；凝固工序包括：初始凝固工序，通过从配置在初始位置的上方的喷嘴向初始位置供给冷却用气体，由此使从初始位置到基板的旋转中心的初始区域上的凝固对象液凝固，该初始位置是指，相对于基板的旋转中心位于基板的外缘侧的位置，喷嘴移动工序，在初始凝固工序后，一边从喷嘴供给冷却用气体，一边使喷嘴向基板的外缘侧进行相对移动。

另外，为了实现上述目的，本发明的基板处理装置的特征在于，包括：基板保持单元，其将在上表面上附着有凝固对象液的基板保持为大致水平，旋转单元，其使由基板保持单元保持的基板围绕铅垂轴旋转，冷却用气体供给单元，其具有在由基板保持单元保持的基板的上表面的上方沿着基板的上表面自由地进行相对移动的喷嘴，并且，从喷嘴向基板的上表面供给温度比凝固对象液的凝固点低的冷却用气体，及移动单元，其使喷嘴沿着基板的上表面进行相对移动；在初始位置的上方配置喷嘴之后，移动单元使喷嘴向基板的外缘侧进行相对移动，所述初始位置是指，相对于基板的旋转中心位于基板的外缘侧的位置；在喷嘴从初始位置的上方开始向基板的外缘侧进行相对移动前，冷却用气体供给单元从配置于初始位置的上方的喷嘴供给冷却用气体，以使从初始位置到基板的旋转中心的初始区域上的凝固对象液凝固，在喷嘴开始向所述基板的外缘侧进行相对移动后，冷却用气体供给单元从喷嘴供给所述冷却用气体，以使除了初始区域上的凝固对象液以外的凝固对象液凝固。