[发明专利]半导体装置以及半导体装置的升压电路的异常诊断方法有效
申请号: | 201110292840.6 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102445613A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 伴将史 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R31/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 升压 电路 异常 诊断 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
多个开关元件,分别经由低通滤波器与串联连接的多个电池连接,选择所述串联连接的多个电池的任意一个;
第一缓冲放大器,包括由从所述串联连接的多个电池供给的电源电压驱动的晶体管而构成,并且输入由所述开关元件所选择的电池的一端的电压,并且,具有对从所述低通滤波器流到所述开关元件的电流进行限制的大小的输入阻抗;
第二缓冲放大器,包括由所述电源电压驱动的晶体管而构成,并且输入由所述开关元件所选择的电池的另一端的电压,并且,具有对从所述低通滤波器流到所述开关元件的电流进行限制的大小的输入阻抗;
电平移位器,利用所述电源电压进行驱动,并且,对从所述第一缓冲放大器输出的电压与从所述第二缓冲放大器输出的电压之差进行输出;
升压单元,将所述电源电压升压到用于使所述第一缓冲放大器中所含的晶体管以及所述第二缓冲放大器中所含的晶体管在饱和区域动作的电压值;以及
短路元件,基于控制信号,使所述升压单元的输入侧和输出侧短路。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在进行所述升压单元的异常诊断的情况下,所述短路元件基于控制信号使所述升压单元的输入侧和输出侧短路。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
具有:切换元件,在所述开关元件选择了所述串联连接的多个电池中的一端连接到接地的电池的情况下,将向外部输出的电压从由所述电平移位器输出的电压切换为所述开关元件所选择的电池的另一端的电压。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,具有:
第一连接元件,用于将所述第一缓冲放大器的输入端子与输出端子连接,以使不经由所述第一缓冲放大器地使电流流过;以及
第二连接元件,用于将所述第二缓冲放大器的输入端子和输出端子连接,以使不经由所述第二缓冲放大器地使电流流过。
5.一种半导体装置的升压单元的异常诊断方法,其特征在于,具有如下步骤:
在权利要求1~4的任意一项所述的半导体装置中,基于经由升压单元供给的被升压到用于使第一缓冲放大器中所含的晶体管以及第二缓冲放大器中所含的晶体管在饱和区域动作的电压值的电源电压,驱动所述第一缓冲放大器以及所述第二缓冲放大器,对电池的第一电压值进行测定;
在所述半导体装置中,基于利用短路元件使所述升压单元的输入侧和输出侧短路而不经由所述升压单元所供给的所述电源电压,驱动所述第一缓冲放大器以及所述第二缓冲放大器,对所述电池的第二电压值进行测定;
对所述第一电压值和所述第二电压值进行比较。
6.权利要求5所述的半导体装置的升压单元的异常诊断方法,其特征在于,具有如下步骤:
在对所述第一电压值和所述第二电压值进行比较的结果是所述第一电压值和所述第二电压值相同的情况下,诊断为所述升压电路异常。
7.权利要求5所述的半导体装置的升压单元的异常诊断方法,其特征在于,具有如下步骤:
在对所述第一电压值和所述第二电压值进行比较的结果是所述第一电压值和所述第二电压值之差处于预先决定的范围内的情况下,诊断为所述升压电路正常。
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