[发明专利]多弧离子镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种多弧离子镀膜装置。

背景技术

利用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术于基材上沉积薄膜时，通常需要在基材上施加一负偏压。负偏压使得阴极靶源与基材之间产生一电场，基材的负偏压可使得等离子体中的一部份正离子对基材进行轰击和沉积。

对于大件平面基材，采用PVD技术在基材上施加负偏压时，可以取得较好的镀膜效果，主要是因为基材的平面面积较大，介于阴极靶和基材之间的电场分布较为均匀，从而使得靶材离子或原子沉积于基材表面各处的概率大致相等，因此膜层厚度也比较均匀。但对于小基材，尤其是具有尖端部的基材，由于尖端部位电场异常导致的尖端放电效应，沉积膜层的厚度较难控制。有时不但尖端部不能沉积上膜层，反而因为尖端放电效应导致尖端部遭到刻蚀，导致基材报废。

发明内容

有鉴于此，提供一种能够有效于基材的尖端部进行镀膜的多弧离子镀膜装置。

一种多弧离子镀膜装置，其包括一反应室、设置于反应室的腔体顶壁的至少一靶材及设置于反应室的腔体底壁的一装载台，该装载台用以装载基材，该反应室内于装载台的上方还设置有一罩体，该靶材和罩体之间设置有第一电源控制装置以设置靶材和罩体之间的第一负偏压，该罩体和基材之间设置有第二电源控制装置以设置罩体和基材之间的第二负偏压。

本发明所述多弧离子镀膜装置，通过在反应室内设置一罩体，并分别于靶材和罩体之间设置有实现第一负偏压的电源控制装置，罩体和基材之间设置有实现第二负偏压的电源控制装置，从而在镀膜过程中，使具有尖端部的基材表面能够沉积高质量的膜层。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的多弧离子镀膜装置的剖视示意图。

主要元件符号说明

多弧离子镀膜装置100反应室30靶材40装载台50基材70尖端部71罩体10主体部11连接杆13第一电源控制装置60第二电源控制装置80

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1，本发明多弧离子镀膜装置100，其包括一反应室30、设置于反应室30内的至少一靶材40、一装载台50及一罩体10。本实施例中，靶材40的数量为一个。