[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

一基底；

一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近所述基底设置；

一第一电极与所述第一半导体层电连接；

一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述发光二极管的出光面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述三维纳米结构在第二半导体层表面以直线、折线或曲线并排延伸。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向的横截面的形状为M形。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凸棱及第二凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米～120纳米，所述第二凹槽的深度为100纳米～200纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第二半导体层表面按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第二半导体层表面按同一周期或多个周期排布，所述周期范围为100纳米～500纳米。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻三维纳米结构之间的间距为0纳米～200纳米。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构的宽度为100纳米～300纳米。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构与第二半导体层为一体成型结构。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极部分覆盖所述三维纳米结构。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一反射层设置于所述基底远离第一半导体层的表面。

13.一种发光二极管，其包括：

依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；

一第一电极至少覆盖所述第一半导体层远离活性层的部分表面；

一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述发光二极管的出光面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的整个表面。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一反射层设置于所述第一半导体层与第一电极之间。

16.一种发光二极管，其包括：

依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；

一第一电极至少覆盖所述第一半导体层远离活性层的部分表面；

一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述发光二极管的出光面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

17.一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置，所述第二半导体层靠近所述发光二极管的出光面设置，其特征在于，所述第二半导体层远离活性层的表面进一步包括多个三维纳米结构并排延伸设置，每个三维纳米结构沿延伸方向的横截面为M形。