[发明专利]一种单层ITO抗干扰的处理方法无效
| 申请号： | 201110293111.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102368187A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 樊永召;金莉;张开立 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 ito 抗干扰 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下：
首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间
隙内布设一层ITO；
然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述间隙是指所述电极块上引出的最外围导线分别与所述玻璃基板的上、下、左、右四个方位处的空隙。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述电极块上引出的导线连接到与所述玻璃基板相贴合的电路板上的触控芯片的相应引脚上。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述单层ITO扫描时，逐次扫描纵行和纵列，每次同时扫描两行或者两列，并获取其差值。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述间隙内的ITO与触控电极组成的ITO不相同。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述ITO层接地的具体方法如下：从所述间隙处的ITO上引出一根导线连接到与所述电路板上。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述间隙处的ITO上引出一根导线连接到与所述电路板的接地线上。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述触控电极块均呈正方形。
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