[发明专利]太阳能电池组及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电池及其制造方法，特别是涉及一种太阳能电池组及其制造方法。

背景技术

目前太阳能电池有非晶硅(a-Si)、微晶硅(μ-Si)、多晶硅(poly-Si)或硒化铜铟镓(CIGS)等多种薄膜太阳能电池。该非晶硅太阳能电池可吸收的光谱是在紫外光至可见光的部分，而多晶硅、硒化铜铟镓或微晶硅太阳能电池其吸收的光谱大约在红外线至可见光的部分。因为太阳光是全波长，因此为了充分地将各波长的光线吸收并转换为电能，一般制造太阳能电池时，是在基板的上下两侧分别形成一个非晶硅太阳能电池及一个多晶硅或硒化铜铟镓太阳能电池。其制造过程中，是利用多次的蒸镀、溅镀、化学气相沉积、或电浆气相沉积等方式，逐层地在该基板上形成薄膜，因此太阳能电池的薄膜在制造过程中必须历经多次的高酸碱或高温环境，不只增加制造流程中管控复杂度，也使材料容易发生受损或老化而降低生产优良率的状况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提高太阳光转换效率并且兼具制造流程简单而可提高生产优良率的太阳能电池组制造方法，及太阳能电池组。

本发明太阳能电池组制造方法用以制造一个太阳能电池组，该太阳能电池组制造方法包含以下步骤：

步骤(A)：利用薄膜层叠的方式成型出一个第一太阳能电池；

步骤(B)：在一个第二下基板上形成一层离型层；

步骤(C)：在该离型层上形成一个第二太阳能电池；

步骤(D)：将该离型层及第二下基板剥离，进而与该第二太阳能电池分离；及

步骤(E)：利用一层可透光的黏合层，将该第一太阳能电池与该第二太阳能电池叠接，进而形成该太阳能电池组。

本发明所述太阳能电池组制造方法，在步骤(A)中，是在一个第一基板上形成一层第一内电极，再于该第一内电极上形成一个第一光电转换单元，接着在该第一光电转换单元上形成一层第一外电极进而构成该第一太阳能电池，在步骤(C)中，是在该离型层上披覆结合一层第二上基板，并在该第二上基板上形成一层第二内电极，再于该第二内电极上形成一个第二光电转换单元，接着在该第二光电转换单元上形成一层第二外电极进而构成该第二太阳能电池，在步骤(E)中，是在该第一基板与该第二外电极间设置该黏合层，以叠接该第一太阳能电池与该第二太阳能电池，进而构成该太阳能电池组。

本发明所述太阳能电池组制造方法，在步骤(E)中，是在该第一外电极与该第二上基板间设置该黏合层，以叠接该第一太阳能电池与第二太阳能电池，进而构成该太阳能电池组。

本发明所述太阳能电池组制造方法，在步骤(A)中，在将该第一内电极形成在该第一基板上后，是在该第一内电极上形成一层光吸收层，并在该光吸收层上形成一层缓冲层，进而构成该第一光电转换单元，并且该第一外电极是形成在该缓冲层上，在步骤(C)中，在将该第二内电极形成在该第二上基板上后，是在该第二内电极上形成一层p型半导体层，并在该p型半导体层上形成一层本质半导体层，接着在该本质半导体层上形成一层n型半导体层，进而构成该第二光电转换单元，并且该第二外电极是形成在该n型半导体层上。

本发明所述太阳能电池组制造方法，在步骤(A)中，在将该第一内电极形成在该第一基板上后，是在该第一内电极上形成一层p型半导体层，并在该p型半导体层上形成一层本质半导体层，接着在该本质半导体层上形成一层n型半导体层，进而构成该第一光电转换单元，并且该第一外电极是形成在该n型半导体层上，在步骤(C)中，在将该第二内电极形成在该第二上基板上后，是在该第二内电极上形成一层光吸收层，并在该光吸收层上形成一层缓冲层，进而构成该第二光电转换单元，并且该第二外电极是形成在该缓冲层上。