[发明专利]化合物半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.化合物半导体发光元件的制造方法，其包括：

在基板上沉积包含发光层的化合物半导体叠层体，

在所述化合物半导体叠层体上沉积透光性氧化物导电膜，

对所述透光性氧化物导电膜进行退火，然后在真空氛围中对该透光性氧化物导电膜进行冷却。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述真空氛围中的压力为10Pa以下。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，持续进行所述真空氛围中的冷却直至温度达到200℃以下。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜由含铟氧化物形成。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜由ITO或IZO形成。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜具有100nm以上且400nm以下的厚度。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述退火在不含氧的气体氛围中进行。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述退火在氮气气体氛围中、氩气气体氛围中、或氮气与氩气的混合气体氛围中进行。

9.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述退火在真空氛围中进行。

10.化合物半导体发光元件的制造方法，其包括：

在基板上沉积包含发光层的化合物半导体叠层体，

在所述化合物半导体叠层体上沉积透光性氧化物导电膜，

在含有氧的氛围中对所述透光性氧化物导电膜进行第1退火，再在不含氧的氛围中进行第2退火，然后在真空氛围中对该透光性氧化物导电膜进行冷却。

11.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述真空氛围中的压力为10Pa以下。

12.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，持续进行所述真空氛围中的冷却直至温度达到200℃以下。

13.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜由含铟氧化物形成。

14.根据权利要求13所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜由ITO或IZO形成。

15.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述透光性氧化物导电膜具有100nm以上且400nm以下的厚度。

16.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述第2退火在不含氧的气体氛围中进行。

17.根据权利要求16所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述第2退火在氮气气体氛围中、氩气气体氛围中、或氮气与氩气的混合气体氛围中进行。

18.根据权利要求10所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其中，所述第2退火在真空氛围中进行。

19.一种化合物半导体发光元件，其是通过权利要求1所述的制造方法形成的。

20.一种化合物半导体发光元件，其是通过权利要求10所述的制造方法形成的。