[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，尤其涉及视场角特性优良、且能够降低制造成本的横向电场方式的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置所使用的液晶显示板，其配置有TFT基板和对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹有液晶，该TFT基板通过具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素形成为矩阵状而成，该对置基板与TFT基板相对地在与TFT基板的像素电极对应的部位形成有滤色片等。并且，通过按各个像素控制液晶分子的光透射率来形成图像。

由于液晶显示装置是平板型且重量轻，因此广泛应用于各个领域。在便携电话、DSC(Digital Still Camera)等中广泛使用小型液晶显示装置。在液晶显示装置中视场角特性是一个问题。视场角特性指的是在从正面观察画面时和从斜向观察画面时，亮度发生变化或色度发生变化的现象。在利用水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(In Plane Switching)方式中，视场角特性优良。

IPS方式也存在多种，例如，用平面整面形成公共电极或像素电极，在其上夹着绝缘膜配置梳齿状的像素电极或公共电极，利用在像素电极与公共电极之间产生的电场使液晶分子旋转，这种方式能够增大透射率，因此成为当前的主流。

对于以上方式的IPS，在以往的技术中，首先形成TFT，用钝化膜覆盖TFT，在其上形成上述公共电极、绝缘膜、像素电极等。但是，由于要求降低制造成本，因此使TFT基板上的导电膜、绝缘膜等的层数减少。

作为将公共电极形成于钝化膜下层的IPS方式的例子，“专利文献1”中记载了使公共电极与栅电极形成在同一层，夹着栅极绝缘膜及保护绝缘膜地形成梳齿状的像素电极的结构。

专利文献1：日本特开2009-168878号公报

发明内容

图5是表示本发明的对象的、IPS方式的TFT基板100的剖面图。图5是在IPS中减少了层数的结构。图5的结构与“专利文献1”记载的IPS的结构不同。在图5中，在由玻璃形成的TFT基板100上形成栅电极101。栅电极101例如是在AlNd合金之上层叠MoCr的结构。在栅电极101之上通过溅镀SiN而形成栅极绝缘膜102。

在栅极绝缘膜102之上，在栅电极101的上方形成半导体层103。利用CVD法形成a-Si膜作为半导体层103。漏电极104和源电极105相对地形成在半导体层103之上。漏电极104和源电极105由MoCr同时形成。漏电极104和源电极105之间成为TFT中的沟道层。为了使半导体层103与漏电极104之间或者与源电极105之间电阻接触，形成未图示的n+Si层。

在图5中，形成了漏电极104或源电极105后，在平面正面由ITO(Indium Tin Oxides：氧化铟锡)形成像素电极106。像素电极106的一部分与源电极105重叠，使像素电极106与源电极105电连接。其后，覆盖漏电极104、源电极105、像素电极106等地形成钝化膜107。钝化膜107由利用CVD法的SiN形成。钝化膜107本来是为保护TFT而形成，但在图5中，兼起到公共电极108与像素电极106之间的绝缘膜的作用。

在钝化膜107之上形成梳齿状的公共电极108。在公共电极108之上形成未图示的取向膜，在其上存在液晶层。液晶层夹持在其与形成有未图示的滤色片等的对置基板之间。图5中，T是形成有TFT的区域，S是形成有源电极105的区域，P是形成有像素电极106的区域，D是形成有视频信号线20的区域。

图6是表示TFT、像素电极106、公共电极108等的俯视图。图6中，在栅电极101之上形成半导体层103，漏电极104和源电极105相对地形成在半导体层103之上。漏电极104是视频信号线20分支而成的。栅电极101是扫描线10分支而成的。

在图6中，像素电极106形成为矩形状。像素电极106的一部分覆盖源电极105的一部分，使像素电极106与源电极105接触。在矩形状的像素电极106之上隔着未图示的钝化膜107配置有形成为梳齿状的公共电极108。

当对公共电极108与像素电极106之间施加电场，则由于电场的横向成分，液晶分子旋转，按像素控制背光源的透射率，从而形成图像。