[发明专利]芯片

权利要求书

1.一种芯片，包含：

多个表面，所述多个表面包含：

一最大面，具有所述多个表面中最大的面积；以及

一侧表面，连接该最大面的一边缘；以及

一纳米结构层，其至少形成于该侧表面上，用以分散该芯片的应力。

2.如权利要求1所述的芯片，其中该侧表面与该最大面的夹角介于0°至180°之间。

3.如权利要求2所述的芯片，其中该侧表面与该最大面的夹角介于45°至90°之间。

4.如权利要求1所述的芯片，其中该侧表面与该最大面之间是通过一导圆角互相连接。

5.如权利要求1所述的芯片，其中该侧表面为一长方形表面或一环状表面。

6.如权利要求1所述的芯片，其中该芯片的该最大面形状为长方形、菱形、圆形、椭圆形或正方形。

7.如权利要求1所述的芯片，其中该纳米结构层还形成于该最大面的该边缘上的一范围内，并且该范围自该边缘朝该最大面的中心延伸1公分。

8.如权利要求1所述的芯片，其中该纳米结构层包含多个纳米结构。

9.如权利要求8所述的芯片，其中所述多个纳米结构的形状包含纳米柱及纳米针中的至少其中之一。

10.如权利要求9所述的芯片，其中两相邻的该纳米结构顶端的间距介于10纳米至1000纳米之间。

11.如权利要求9所述的芯片，其中所述多个纳米结构的深度介于0.1微米至100微米之间。

12.如权利要求8所述的芯片，其中所述多个纳米结构是通过蚀刻、外延以及镀膜方法的其中的一种方法形成于该侧表面。

13.如权利要求1所述的芯片，其中该芯片为一非晶芯片、一单晶芯片及一多晶芯片的其中之一。

14.如权利要求13所述的芯片，其中该单晶芯片为一单晶硅芯片。

15.如权利要求13所述的芯片，其中该芯片是由玻璃、硅、锗、碳、铝、氮化镓、砷化镓、磷化镓、氮化铝、三氧化二铝、碳化硅、氧化锌、氧化镁、二氧化锂铝、二氧化锂镓以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的至少一种所制成。

16.如权利要求1所述的芯片，其中该芯片为一P型半导体，并且该最大面上形成一N型半导体层。

17.如权利要求1所述的芯片，其中该芯片为一N型半导体，并且该最大面上形成一P型半导体层。

18.如权利要求1所述的芯片，其中该纳米结构层的材质与该芯片的材质相同。

19.如权利要求1所述的芯片，其中该纳米结构层的材质与该芯片的材质相异。

20.如权利要求1所述的芯片，其中该芯片为半导体芯片。