[发明专利]BaGa2SiSe6化合物、BaGa2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种化学式为BaGa₂SiSe₆的化合物。

2.一种权利要求1所述BaGa₂SiSe₆化合物的制备方法，其步骤如下：

将含Ba物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se按照摩尔比Ba∶Ga∶Si∶Se＝1∶2∶1∶6的比例配料并混合均匀后，加热至750-950℃进行固相反应，得到BaGa₂SiSe₆化合物；所述含Ba物质为钡单质或硒化钡；所述含Si物质为硅单质或二硒化硅；所述含Ga物质为镓单质或三硒化二镓。

3.按权利要求2所述BaGa₂SiSe₆化合物的制备方法，其特征在于，所述加热进行固相反应的步骤是：将所述配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-60℃/小时的速率升温至750-950℃，恒温48小时，待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，再放入马弗炉内升温至700-950℃烧结24小时，之后取出所得物质，并捣碎研磨得粉末状BaGa₂SiSe₆化合物。

4.一种BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体，该BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3，

5.一种权利要求4所述BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体，其步骤为：将粉末状BaGa₂SiSe₆化合物加热至熔化得高温熔液并保持48-96小时后，以3-5℃/小时的降温速率降温至室温，得到黄色透明的BaGa₂SiSe₆晶体。

6.按权利要求5所述BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述粉末状BaGa₂SiSe₆化合物的制备如下：

将含Ba物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se按照摩尔比Ba∶Ga∶Si∶Se＝1∶2∶1∶6的比例混合均匀后，加热进行固相反应，得到化学式为BaGa₂SiSe₆的化合物，经捣碎研磨得粉末状BaGa₂SiSe₆的化合物；所述含Ba物质为钡单质或硒化钡；所述含Si物质为硅单质或二硒化硅；所述含Ga物质为镓单质或三硒化二镓。

7.一种权利要求4所述BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为坩埚下降法生长BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体，其步骤如下：

将BaGa₂SiSe₆粉末放入晶体生长装置中，缓慢升温至粉末熔化，待粉末完全熔化后，晶体生长装置以0.1-1.0mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体生长，其生长周期为10-20天。

8.按权利要求7所述BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，还包括对所得BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的后处理：晶体生长结束后，仍将晶体留在生长炉中进行退火，以不大于30～100℃/小时的速率降温至室温。

9.一种权利要求4所述的BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体的用途，其特征在于，该BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体用于制备非线性光学器件，所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该BaGa₂SiSe₆非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。