[发明专利]成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜基板的制造方法，制造在玻璃基板上成膜有钼的成膜基板，其特征在于，该制造方法具备：

第1成膜工序，在含有氧的第1气氛中，在所述玻璃基板的表面成膜第1钼层；及

第2成膜工序，在含氧率低于所述第1气氛的第2气氛中，在所述第1钼层的表面成膜第2钼层。

2.如权利要求1所述的成膜基板的制造方法，其特征在于，

所述第1成膜工序中，在含氧率为0.3％～5.0％的所述第1气氛中，成膜所述第1钼层。

3.如权利要求1或2所述的成膜基板的制造方法，其特征在于，

所述第2成膜工序中，比所述第1钼层更厚地成膜所述第2钼层。

4.一种成膜基板，其特征在于，具备：

玻璃基板；

第1钼层，成膜于所述玻璃基板的表面且含有氧；及

第2钼层，成膜于所述第1钼层的表面且氧含有量少于所述第1钼层。

5.如权利要求4所述的成膜基板，其特征在于，

所述第2钼层的方块电阻值低于所述第1钼层的方块电阻值。

6.如权利要求5所述的成膜基板，其特征在于，

所述第2钼层厚于所述第1钼层。

7.一种在玻璃基板成膜钼的成膜装置，其特征在于，具备：

第1成膜室，在所述玻璃基板的表面成膜第1钼层；

第2成膜室，在所述第1钼层的表面成膜第2钼层；及

氧浓度控制部，将所述第1成膜室内设为含有氧的第1气氛，而将所述第2成膜室内设为含氧率低于所述第1气氛的第2气氛，

所述第1成膜室在所述第1气氛下成膜所述第1钼层，

所述第2成膜室在所述第2气氛下成膜所述第2钼层。

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

所述第1成膜室兼作所述第2成膜室。