[发明专利]衬底、外延片及半导体器件无效
| 申请号： | 201110295490.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102324435A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 半导体器件 | ||
1.衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面设置有多晶硅层；多晶硅层表面设置有第二多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述的第一二氧化硅层厚度为3-7um。
3.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述的多晶硅层厚度为6-10um。
4.根据权利要求1、2或3所述的衬底，其特征在于，所述的第二二氧化硅层厚度为0.8-1.2um。
5.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，在衬底本体正面设置有单晶硅层。
6.根据权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述的单晶硅层为三氯硅烷与氢气在900℃～1050℃下反应，反应生成的单晶硅沉积在衬底本体正面形成。
7.根据权利要求6所述的衬底，其特征在于，所述的三氯硅烷与氢气通入反应腔内，氢气的流速为120-170slm/s。
8.根据权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述的单晶硅层厚度为2-5μm。
9.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述的衬底本体为N型。
10.根据权利要求9所述的衬底，其特征在于，所述的N型衬底本体掺杂有砷、磷及锑中的至少一种元素。
11.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述的衬底本体为P型。
12.根据权利要求11所述的衬底，其特征在于，所述的P型衬底本体掺杂有硼。
13.外延片，其特征在于，包括权利要求1至12任一权利要求所述的衬底。
14.半导体器件，其特征在于，包括权利要求13所述的外延片。
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