[发明专利]光致抗蚀剂和光刻方法有效
申请号: | 201110295647.8 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103034059A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 伍强;顾一鸣 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 马景辉 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 光刻 方法 | ||
1.一种光致抗蚀剂,包括:
基质树脂;
用于产生化学放大作用的第一组分,该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质,所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像;以及
第二组分,该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质,所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应,从而降低第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂,其中,所述第一组分是光致产酸剂,并且所述第一化学物质是光酸;以及所述第二组分是光致产碱剂,并且所述第二化学物质是光碱。
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致产酸剂为(4-叔丁基苯基)二苯基锍三氟甲基磺酸酯或三苯基硫三氟甲烷磺酸盐。
4.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致产碱剂为季铵盐。
5.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致产酸剂的质量浓度为1%至30%。
6.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致产碱剂的质量浓度为0.1%至20%。
7.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述基质树脂为聚羟基苯乙烯或聚丙烯酸酯。
8.一种使用权利要求1-7中任一项所述的光致抗蚀剂进行光刻的方法,包括以下步骤:
提供表面覆盖有所述光致抗蚀剂的衬底;
使用第一波段的光对所述光致抗蚀剂表面的选定区域进行选择性照射;
使用第二波段的光对所述光致抗蚀剂表面的所有区域进行均匀照射;
对所述光致抗蚀剂进行显影处理,从而形成所需要的光致抗蚀剂图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,第一波段的光的照射剂量为0.1-100毫焦耳/平方厘米。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,第二波段的光的照射剂量为0.1-100毫焦耳/平方厘米。
11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,基本上同时进行第一波段的光的照射步骤和第二波段的光的照射步骤。
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