[发明专利]高压N型结型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高压N型结型场效应晶体管(200)的制造方法，包括步骤：

提供P型半导体衬底(201)，其上形成有P型埋层(202)，作为所述晶体管(200)的背栅；

在所述P型半导体衬底(201)上形成P型外延层(203)；

在所述P型外延层(203)上形成多个局部氧化隔离(204)，隔离出所述晶体管(200)的漏极(211)、栅极(207)、源极(212)和背栅引出端(213)的位置；

在所述P型外延层(203)中注入N型杂质，经过扩散形成所述晶体管(200)的低浓度N阱(205)；

在所述栅极(207)的位置处注入P型杂质，经过扩散形成P型体区(206)，作为所述晶体管(200)的栅极(207)；

在所述漏极(211)与所述栅极(207)之间的所述局部氧化隔离(204)上形成场板(208)；

在所述漏极(211)和所述源极(212)的位置处注入N型杂质形成漏极(211)和源极(212)，以及在所述栅极(207)和所述背栅引出端(213)的位置处注入P型杂质形成栅极引出端(214)和背栅引出端(213)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述漏极(211)、源极(212)、背栅引出端(213)和栅极引出端(214)之后还包括步骤：

对所述晶体管(200)进行快速热处理工艺。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法与60V高压BCD工艺相兼容。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型杂质为硼，所述N型杂质为磷。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述场板(208)为多晶硅材质。

6.一种高压N型结型场效应晶体管(200)，包括：

P型埋层(202)，位于P型半导体衬底(201)中，所述P型半导体衬底(201)上还形成有P型外延层(203)；

低浓度N阱(205)，位于所述P型外延层(203)中；

漏极(211)、栅极(207)、源极(212)和背栅引出端(213)，分布在所述P型外延层(203)的表面，所述漏极(211)、栅极(207)和源极(212)位于所述低浓度N阱(205)中，所述漏极(211)和源极(212)掺杂有N型杂质，所述栅极(207)和背栅引出端(213)掺杂有P型杂质；

栅极引出端(214)，位于所述栅极(207)中，掺杂有比所述栅极(207)浓度更高的P型杂质；

多个局部氧化隔离(204)，分布在所述P型外延层(203)的表面，用于隔离出所述漏极(211)、栅极(207)、源极(212)和背栅引出端(213)的位置；

场板(208)，位于所述漏极(211)与所述栅极(207)之间的所述局部氧化隔离(204)上。

7.根据权利要求6所述的高压N型结型场效应晶体管(200)，其特征在于，所述P型杂质为硼，所述N型杂质为磷。

8.根据权利要求6所述的高压N型结型场效应晶体管(200)，其特征在于，所述场板(208)为多晶硅材质。