[发明专利]银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线及其制备方法和应用

权利要求书

1.银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线，其特征在于其具有明显的三同轴结构，长度为10~30微米，直径为60-100纳米，其中核为β-AgVO₃纳米线，中间层为β-AgVO₃纳米线表面失去部分银离子而产生的银钒氧化物层，最外层为聚合物层，最外层厚度为6~10纳米，中间层厚度为6~10纳米。

2.如权利要求1所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线，其特征在于所述的聚合物为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。

3.权利要求1所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：

1）将钒源水溶液与银源水溶液在搅拌条件下混合，得到前驱体溶液； 

2）将步骤1）所得前驱体溶液转移至反应釜，进行反应，自然冷却至室温，离心过滤得到沉淀物；

3）用去离子水反复洗涤步骤2）得到的沉淀物，并烘干得到β-AgVO₃纳米线；

4）将β-AgVO₃ 纳米线分散于去离子水中，加入聚合物单体，其中，β-AgVO₃ 纳米线与聚合物单体的质量比为2:1，室温搅拌10-14小时，然后加入与聚合物单体等物质的量的氧化剂水溶液，继续室温搅拌10~14小时，离心得到沉淀产物；

5）用去离子水和无水乙醇反复洗涤步骤4）所得的沉淀产物，烘干得到银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线。

4.如权利要求3所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线的制备方法，其特征在于所述的钒源为偏钒酸铵或五氧化二钒溶胶。

5.如权利要求3所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线的制备方法，其特征在于所述的银源为硝酸银、醋酸银或碳酸银。

6.如权利要求3所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线的制备方法，其特征在于所述的聚合物单体为苯胺单体、吡咯单体或噻吩单体。

7.如权利要求3所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线的制备方法，其特征在于步骤2）所述的反应温度为160℃ ~ 200℃，反应时间为12~36小时。

8.如权利要求3所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线制备方法，其特征在于所述的氧化剂为过硫酸铵、重铬酸钾或三氯化铁。

9.权利要求1所述的银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线在作为锂离子电池正极活性材料的应用。